IRF5210STRLPBF 一款N沟道增强型功率MOSFET 封装D2PAK 蓝信伟业

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IRF5210STRLPBF特征：

是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用表面贴装封装，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特点。

IRF5210STRLPBF述：

是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用表面贴装封装，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特点。

IRF5210STRLPBF参数：

额定电压（VDS）通常为 55V，额定电流（ID）可达 9.2A，导通电阻典型值为 0.02Ω，栅极电荷较低，开关速度快。

应用场景：

▲主要应用于音频放大器、功率放大器、电机驱动等需要大电流、高功率的电路中。

IRF5210STRLPBF特征：

是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用表面贴装封装，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特点。

IRF5210STRLPBF述：

是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用表面贴装封装，具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特点。

IRF5210STRLPBF参数：

额定电压（VDS）通常为 55V，额定电流（ID）可达 9.2A，导通电阻典型值为 0.02Ω，栅极电荷较低，开关速度快。

应用场景：

▲主要应用于音频放大器、功率放大器、电机驱动等需要大电流、高功率的电路中。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

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