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TF2300 N 沟道 MOS 场效应管 封装SOT23 蓝信伟业
TF2300 N 沟道 MOS 场效应管 封装SOT23 蓝信伟业
TF2300
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TF2300     N 沟道 MOS 场效应管    封装SOT23    蓝信伟业

■产品概述：
TF2300 是拓锋公司推出的一款 N 沟道 MOS 场效应管，它采用先进的半导体制造工艺，具备良好的电气性能和可靠性。其 SOT-23 封装形式使其适用于各种对空间要求较高的电子设备，能够在不同的电路中实现高效的电流控制和功率转换。
 
■特征：
它是一种 TrenchFET 功率 MOSFET，具有低导通电阻的特性，能够有效降低功率损耗，提高电路效率。同时，该器件符合无铅标准，是环保型产品。
 
■基本参数：
漏源电压（Vdss）为 20V，连续漏极电流（Id）在 25°C 时为 6A，栅源极阈值电压为 1V@250uA，漏源导通电阻为 40mΩ@2A、2.5V，最大功率耗散（Ta=25°C）为 1.25W，工作温度范围为 - 55°C 至 + 150°C，输入电容（Ciss）为 888pF，反向传输电容（Crss）为 115pF。
 
■应用领域：
由于其特性，TF2300 可广泛应用于便携式设备的负载开关，如手机、平板电脑、数码相机等，用于控制设备的电源通断。此外，还可应用于 DC/DC 转换器中，帮助实现电压的降压转换，为不同的电路模块提供稳定的电源供应。
TF2300     N 沟道 MOS 场效应管    封装SOT23    蓝信伟业

■产品概述：
TF2300 是拓锋公司推出的一款 N 沟道 MOS 场效应管，它采用先进的半导体制造工艺，具备良好的电气性能和可靠性。其 SOT-23 封装形式使其适用于各种对空间要求较高的电子设备，能够在不同的电路中实现高效的电流控制和功率转换。
 
■特征：
它是一种 TrenchFET 功率 MOSFET，具有低导通电阻的特性，能够有效降低功率损耗，提高电路效率。同时，该器件符合无铅标准，是环保型产品。
 
■基本参数：
漏源电压（Vdss）为 20V，连续漏极电流（Id）在 25°C 时为 6A，栅源极阈值电压为 1V@250uA，漏源导通电阻为 40mΩ@2A、2.5V，最大功率耗散（Ta=25°C）为 1.25W，工作温度范围为 - 55°C 至 + 150°C，输入电容（Ciss）为 888pF，反向传输电容（Crss）为 115pF。
 
■应用领域：
由于其特性，TF2300 可广泛应用于便携式设备的负载开关，如手机、平板电脑、数码相机等，用于控制设备的电源通断。此外，还可应用于 DC/DC 转换器中，帮助实现电压的降压转换，为不同的电路模块提供稳定的电源供应。
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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联系QQ：800007218
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