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DMP6023LE-13 晶体管 封装 SOT-223 蓝信伟业
DMP6023LE-13 晶体管 封装 SOT-223 蓝信伟业
DMP6023LE-13
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DMP6023LE-13    晶体管        封装 SOT-223      蓝信伟业
 
特征：
具有较低的导通电阻，可降低导通损耗，提高电路效率。符合 AEC-Q101 高可靠性标准，具备出色的夹紧能力，工作温度范围为 - 55℃至 + 150℃，能适应较宽温度环境，可靠性较高。
 
说明：
DMP6023LE-13 是一款 P 沟道 MOSFET，利用 MOSFET 技术实现高效的功率控制与开关功能，凭借其低导通电阻、高可靠性等特点，适用于多种对功率控制有要求的电路场景。
 
参数：
漏源电压（Vdss）为 60V，连续漏极电流（Id）为 7A（Ta）、18.2A（Tc），导通电阻（RDS (on)）在 VGS=10V、ID=5A 时最大值为 28mΩ，阈值电压（VGS (th)）为 3V@250μA，栅极电荷（Qg）为 53.1nC@10V，输入电容（Ciss）为 2.569nF，耗散功率（Pd）为 2W，栅极源极击穿电压（VGS）为 ±20V。
 
应用场景：
可用于汽车电子中的电源管理电路，也适用于智能手机、平板电脑等消费电子产品的电源开关与调节，还能应用于电机控制电路，实现电机的启停与速度调节，以及各类自动化设备的功率控制部分。
 
DMP6023LE-13    晶体管        封装 SOT-223      蓝信伟业
 
特征：
具有较低的导通电阻，可降低导通损耗，提高电路效率。符合 AEC-Q101 高可靠性标准，具备出色的夹紧能力，工作温度范围为 - 55℃至 + 150℃，能适应较宽温度环境，可靠性较高。
 
说明：
DMP6023LE-13 是一款 P 沟道 MOSFET，利用 MOSFET 技术实现高效的功率控制与开关功能，凭借其低导通电阻、高可靠性等特点，适用于多种对功率控制有要求的电路场景。
 
参数：
漏源电压（Vdss）为 60V，连续漏极电流（Id）为 7A（Ta）、18.2A（Tc），导通电阻（RDS (on)）在 VGS=10V、ID=5A 时最大值为 28mΩ，阈值电压（VGS (th)）为 3V@250μA，栅极电荷（Qg）为 53.1nC@10V，输入电容（Ciss）为 2.569nF，耗散功率（Pd）为 2W，栅极源极击穿电压（VGS）为 ±20V。
 
应用场景：
可用于汽车电子中的电源管理电路，也适用于智能手机、平板电脑等消费电子产品的电源开关与调节，还能应用于电机控制电路，实现电机的启停与速度调节，以及各类自动化设备的功率控制部分。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
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