IRF730PBF N沟道功率MOSFET晶体管 TO220 蓝信伟业
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IRF730PBF特征:
是国际整流器公司推出的一款 N 沟道功率 MOSFET 晶体管,采用先进的 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度、高电流承载能力等特点。
 
IRF730PBF概述
基于 MOSFET 原理,通过控制栅极电压来改变漏极和源极之间的电流流动,其低导通电阻可降低功耗和提高效率,快速开关速度可实现高频率操作,且具有良好的稳定性和可靠性。
 
IRF730PBF参数
额定电压(VDS)为 400V,额定电流(ID)为 5.5A,导通电阻为 0.115Ω,开关时间为 55ns,输入电容为 1320pF,最大功率耗散(PD)为 40W,栅极电压范围为 - 20V 至 + 20V。
 
应用场景:
▲可应用于电源开关、电机驱动、LED 照明、电压变换器、电源逆变器等多种电子设备和电路中,特别适用于高功率应用。
 
IRF730PBF特征:
是国际整流器公司推出的一款N沟道功率MOSFET晶体管,采用先进的 MOSFET 技术,具有低导通电阻、高开关速度、高电流承载能力等特点。
 
IRF730PBF概述
基于 MOSFET 原理,通过控制栅极电压来改变漏极和源极之间的电流流动,其低导通电阻可降低功耗和提高效率,快速开关速度可实现高频率操作,且具有良好的稳定性和可靠性。
 
IRF730PBF参数
额定电压(VDS)为 400V,额定电流(ID)为 5.5A,导通电阻为 0.115Ω,开关时间为 55ns,输入电容为 1320pF,最大功率耗散(PD)为 40W,栅极电压范围为 - 20V 至 + 20V。
 
应用场景:
▲可应用于电源开关、电机驱动、LED 照明、电压变换器、电源逆变器等多种电子设备和电路中,特别适用于高功率应用。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ:800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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