STP26NM60N 功率MOSFET TO220 蓝信伟业
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STP26NM60N特征:
采用 MDmesh II 技术,具有低导通电阻、低输入电容和栅极电荷,100% 雪崩测试。
 
STP26NM60N概述:
是意法半导体生产的功率 MOSFET,具有高效的开关性能和良好的散热特性。
 
STP26NM60N参数:
N 沟道功率 MOSFET,漏极 - 源极电压为 600V,导通电阻典型值为 0.135Ω,漏极电流为 20A。
 
应用场景:
▲适用于开关电源、太阳能逆变器等对效率要求较高的功率转换应用。
 
STP26NM60N特征:
采用 MDmesh II 技术,具有低导通电阻、低输入电容和栅极电荷,100% 雪崩测试。
 
STP26NM60N概述:
是意法半导体生产的功率MOSFET,具有高效的开关性能和良好的散热特性。
 
STP26NM60N参数:
N 沟道功率 MOSFET,漏极 - 源极电压为 600V,导通电阻典型值为 0.135Ω,漏极电流为 20A。
 
应用场景:
▲适用于开关电源、太阳能逆变器等对效率要求较高的功率转换应用。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ:800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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