IPD110N12N3 G 高性能的功率MOSFET TO252 蓝信伟业

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IPD110N12N3 G特征：

N 沟道 MOSFET，属于 OptiMOS™ 3 系列，具有优秀的栅极电荷与 RDS (on) 乘积（FOM），低导通电阻 RDS (on)，能承受 175°C 高温操作，符合无铅焊接标准，满足 RoHS 指令。

IPD110N12N3 G概述：

IPD110N12N3G 是一款高性能的功率 MOSFET，具有低功耗、高开关速度等优点。

IPD110N12N3 G参数：

最大漏源电压 100V，连续漏极电流在 25°C 时最大为 75A，脉冲漏极电流在 25°C 时可瞬时承受高达 300A，栅源电压允许范围 ±20V，最大功率在 25°C 时为 136W。

应用场景：

▲适用于高频率开关和同步整流的应用，如电源转换、电机驱动等。

IPD110N12N3 G特征：

IPD110N12N3 G概述：

IPD110N12N3G 是一款高性能的功率 MOSFET，具有低功耗、高开关速度等优点。

IPD110N12N3 G参数：

应用场景：

▲适用于高频率开关和同步整流的应用，如电源转换、电机驱动等。

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

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