IRFB5620PBF 高性能数字音频MOSFET TO220 蓝信伟业
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IRFB5620PBF特征:
专为 Class-D 音频放大器设计的高性能数字音频 MOSFET,具有低栅极导通电阻(RDSON),优化了 THD(总谐波失真)和 EMI(电磁干扰)控制,具备可重复雪崩能力。
 
IRFB5620PBF概述:
IRFB5620PBF 是一款高效、低噪声和高可靠性的 MOSFET。
 
IRFB5620PBF参数:
当负载为 8 欧姆时,每个通道可提供高达 300W 的输出功率,额定结温 175°C,封装类型为 TO-220AB。
 
应用场景:
▲主要应用于高功率音频系统,如音频放大器等。
 
 
 
IRFB5620PBF特征:
专为 Class-D 音频放大器设计的高性能数字音频 MOSFET,具有低栅极导通电阻(RDSON),优化了 THD(总谐波失真)和 EMI(电磁干扰)控制,具备可重复雪崩能力。
 
IRFB5620PBF概述:
IRFB5620PBF 是一款高效、低噪声和高可靠性的 MOSFET。
 
IRFB5620PBF参数:
当负载为 8 欧姆时,每个通道可提供高达 300W 的输出功率,额定结温 175°C,封装类型为 TO-220AB。
 
应用场景:
▲主要应用于高功率音频系统,如音频放大器等。
 
 
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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