IR2113PBF 驱动功率MOSFET和IGBT的芯片 DIP14 蓝信伟业
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IR2113PBF特征:
●高压高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器,
●具有独立的高端和低端输出通道,
●内置死区时间控制,
●可防止上下桥臂直通,
●抗干扰能力强。
 
IR2113PBF概述:
是一款专门用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT 的芯片,能够可靠地控制功率器件的开关,提高功率转换效率和电路稳定性。
 
IR2113PBF参数:
■工作电源电压范围 8V 至 20V,
■高端悬浮电源电压最高可达 600V,
■输出电流峰值可达 2.5A,
■传播延迟时间短,
■典型值为 120ns,
■采用 SOIC 封装。
 
应用场景:
▲广泛应用于各种开关电源、电机驱动电路、逆变器电路等,如工业电机控制、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等。
 
IR2113PBF特征:
●高压高速 MOSFET 和 IGBT 驱动器,
●具有独立的高端和低端输出通道,
●内置死区时间控制,
●可防止上下桥臂直通,
●抗干扰能力强。
 
IR2113PBF概述:
是一款专门用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT 的芯片,能够可靠地控制功率器件的开关,提高功率转换效率和电路稳定性。
 
IR2113PBF参数:
■工作电源电压范围 8V 至 20V,
■高端悬浮电源电压最高可达 600V,
■输出电流峰值可达 2.5A,
■传播延迟时间短,
■典型值为 120ns,
■采用 SOIC 封装。
 
应用场景:
▲广泛应用于各种开关电源、电机驱动电路、逆变器电路等,如工业电机控制、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
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