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NCE60P50K 一款高性能的功率MOSFET TO252 蓝信伟业
NCE60P50K 一款高性能的功率MOSFET TO252 蓝信伟业
NCE60P50K 一款高性能的功率MOSFET TO252 蓝信伟业
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NCE60P50K特征：
●采用先进沟槽技术设计的 P 沟道增强型功率 MOSFET，高耐压、大电流、低导通电阻，具有高密度单元设计、全面的雪崩电压和电流特性以及高能量吸收能力，采用 TO - 252 - 2L 封装，散热性能好。
 
NCE60P50K概述：
是一款高性能的功率 MOSFET，通过优化的单元设计，实现了极低的导通电阻和低栅极电荷，在高电流负载应用中表现出色。
 
NCE60P50K参数：
●漏源电压（V<sub>DS</sub>）高达 - 60V，
●连续漏极电流（I<sub>D</sub>）可达 - 50A，
●在 V<sub>GS</sub>=-10V 时，R<sub>DS(ON)</sub><28mΩ，
●单脉冲雪崩能量（E<sub>AS</sub>）高达 722mJ。
 
应用场景：
▲适用于负载开关、电机驱动、电源转换等多种高电流负载应用，如在电源管理系统中作为高效负载开关，在电机控制应用中提供高效率功率转换，在 DC - DC 转换器中作为功率开关。
 
NCE60P50K特征：
●采用先进沟槽技术设计的 P 沟道增强型功率 MOSFET，高耐压、大电流、低导通电阻，具有高密度单元设计、全面的雪崩电压和电流特性以及高能量吸收能力，采用 TO - 252 - 2L 封装，散热性能好。
 
NCE60P50K概述：
是一款高性能的功率 MOSFET，通过优化的单元设计，实现了极低的导通电阻和低栅极电荷，在高电流负载应用中表现出色。
 
NCE60P50K参数：
●漏源电压（V<sub>DS</sub>）高达 - 60V，
●连续漏极电流（I<sub>D</sub>）可达 - 50A，
●在 V<sub>GS</sub>=-10V 时，R<sub>DS(ON)</sub><28mΩ，
●单脉冲雪崩能量（E<sub>AS</sub>）高达 722mJ。
 
应用场景：
▲适用于负载开关、电机驱动、电源转换等多种高电流负载应用，如在电源管理系统中作为高效负载开关，在电机控制应用中提供高效率功率转换，在 DC - DC 转换器中作为功率开关。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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