MX30LF2G28AD-TI 业级并行SLC NAND闪存 SOP48 蓝信伟业
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MX30LF2G28AD-TI特征:
●高可靠性存储:采用 SLC(单层单元)NAND 架构,耐久性达 60,000 次擦写循环,数据保留时间超过 10 年。
●宽电压范围:工作电压 2.7V 至 3.6V,兼容 3V 系统
●异步并行接口:支持 8 位并行数据总线,适用于需要高速数据吞吐的嵌入式系统
●工业级温度范围:-40°C 至 + 85°C 工作温度,满足恶劣环境需求
●小尺寸封装:TSOP-48 封装(18.4mm×12mm),适合高密度 PCB 设计
 
 
MX30LF2G28AD-TI概述:
MX30LF2G28AD-TI 是旺宏电子推出的工业级并行 SLC NAND 闪存,专为需要高可靠性和长寿命存储的应用设计。其 SLC 架构在数据保留和耐久性方面优于 MLC/TLC,适合存储固件、配置数据等高价值信息。异步并行接口支持快速数据传输,配合工业级温度范围,可满足车载、工控等场景的严苛要求。
 
MX30LF2G28AD-TI参数:
●存储密度:2Gb(256Mx8 位组织)
●接口类型:异步并行接口,支持标准 NAND 命令集
●访问时间:典型值 200ns(随机读取)
●工作电流:读取 / 写入时最大 50mA,待机电流 50μA
●封装:TSOP-48,引脚间距 0.5mm
 
 
应用场景:
▲工业控制:PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机的固件存储
▲汽车电子:车载信息娱乐系统、ADAS(高级驾驶辅助系统)的数据存储
▲消费电子:数字电视、机顶盒的系统固件和用户数据存储
▲通信设备:路由器、交换机的配置文件存储
▲医疗设备:便携式医疗仪器的程序存储和日志记录
 
 
 
MX30LF2G28AD-TI特征:
●高可靠性存储:采用 SLC(单层单元)NAND 架构,耐久性达 60,000 次擦写循环,数据保留时间超过 10 年。
●宽电压范围:工作电压 2.7V 至 3.6V,兼容 3V 系统
●异步并行接口:支持 8 位并行数据总线,适用于需要高速数据吞吐的嵌入式系统
●工业级温度范围:-40°C 至 + 85°C 工作温度,满足恶劣环境需求
●小尺寸封装:TSOP-48 封装(18.4mm×12mm),适合高密度 PCB 设计
 
 
MX30LF2G28AD-TI概述:
MX30LF2G28AD-TI 是旺宏电子推出的工业级并行 SLC NAND 闪存,专为需要高可靠性和长寿命存储的应用设计。其 SLC 架构在数据保留和耐久性方面优于 MLC/TLC,适合存储固件、配置数据等高价值信息。异步并行接口支持快速数据传输,配合工业级温度范围,可满足车载、工控等场景的严苛要求。
 
MX30LF2G28AD-TI参数:
●存储密度:2Gb(256Mx8 位组织)
●接口类型:异步并行接口,支持标准 NAND 命令集
●访问时间:典型值 200ns(随机读取)
●工作电流:读取 / 写入时最大 50mA,待机电流 50μA
●封装:TSOP-48,引脚间距 0.5mm
 
 
应用场景:
▲工业控制:PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机的固件存储
▲汽车电子:车载信息娱乐系统、ADAS(高级驾驶辅助系统)的数据存储
▲消费电子:数字电视、机顶盒的系统固件和用户数据存储
▲通信设备:路由器、交换机的配置文件存储
▲医疗设备:便携式医疗仪器的程序存储和日志记录
 
 
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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