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FDP18N50 N沟道功率场效应管 TO220 蓝信伟业
FDP18N50 N沟道功率场效应管 TO220 蓝信伟业
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FDP18N50特征：
●基于平面条纹和 DMOS 技术的 N 沟道功率场效应管，具有低导通电阻，开关性能好，雪崩能量强度高，低栅极电荷，100% 雪崩测试，能承受较高的电压和电流。
 
FDP18N50概述：
是一款功率 MOSFET，通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通，可用于高电压、大电流的功率转换电路。
 
FDP18N50参数：
●漏源电压 Vdss 500V，
●连续漏极电流 Id 18A，
●导通电阻 RDS (on) 在 10V、9A 时为 265mΩ，
●阈值电压 Vgs (th) 5V@250uA，
●栅极电荷量 Qg 60nC@10V，
●反向传输电容 Crss 40pF，封装为 TO - 220。
 
应用场景：
▲适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 电源和电子灯镇流器等，在这些电路中用于实现功率的开关转换和控制。
 
FDP18N50特征：
●基于平面条纹和 DMOS 技术的 N 沟道功率场效应管，具有低导通电阻，开关性能好，雪崩能量强度高，低栅极电荷，100% 雪崩测试，能承受较高的电压和电流。
 
FDP18N50概述：
是一款功率 MOSFET，通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通，可用于高电压、大电流的功率转换电路。
 
FDP18N50参数：
●漏源电压 Vdss 500V，
●连续漏极电流 Id 18A，
●导通电阻 RDS (on) 在 10V、9A 时为 265mΩ，
●阈值电压 Vgs (th) 5V@250uA，
●栅极电荷量 Qg 60nC@10V，
●反向传输电容 Crss 40pF，封装为 TO - 220。
 
应用场景：
▲适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 电源和电子灯镇流器等，在这些电路中用于实现功率的开关转换和控制。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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