GD25Q16ESIGR 性能串行闪存芯片 SOP8 蓝信伟业
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GD25Q16ESIGR特征:
●高速数据传输:
°支持 Quad SPI 接口,满足高带宽需求,适用于快速数据读取和代码执行(XiP)。
°7 ns 访问时间显著降低系统延迟。
●灵活的数据保护:
°软件 / 硬件写保护:通过软件锁定部分或全部存储区域,或通过 WP# 引脚启用硬件保护。
°顶部 / 底部块保护:支持选择性保护特定存储块。
°深度掉电模式:功耗低至 1 μA,唤醒时间短。
●可靠性与安全性:
°符合工业级温度范围,适应严苛环境。
°支持唯一 128 位设备 ID 和串行闪存可发现参数(SFDP),增强系统安全性。
●低功耗设计:
°待机电流典型值 11 μA,适合电池供电或节能设备。
 
GD25Q16ESIGR概述:
GD25Q16ESIGR 是一款高性价比的串行闪存芯片,专为需要高速数据传输、可靠存储和灵活保护的应用设计。其 Quad SPI 接口和 532 Mbit/s 的传输速率使其在代码执行(XiP)和大数据量存储场景中表现优异。同时,硬件 / 软件写保护、工业级温度范围和长寿命特性,使其适用于对稳定性和安全性要求较高的工业与汽车领域。兆易创新提供的多种封装形式(如 SOP8、USON8 等)进一步增强了其在高密度电路板中的适用性。
 
GD25Q16ESIGR参数:
●反向断态电压(VRWM):18V
●击穿电压(VBR):20V(最小值)/ 22.1V(最大值)
●箝位电压(VC):≤29.2V(在峰值脉冲电流 20.5A 时)
●峰值脉冲电流(IPP):20.5A(10/1000μs 波形)
●峰值脉冲功率(PPP):600W
●反向漏电流(IR):≤1μA(在 VRWM 下)
●工作温度范围:-55℃ 至 +150℃(结温 TJ)
●封装形式:DO-214AA(SMB),尺寸为 4.85mm×3.75mm,高度 2.44mm
 
应用场景:
▲消费电子:机顶盒、智能家电、可穿戴设备的固件存储。
▲汽车电子:车载信息娱乐系统、ECU 的代码存储与数据记录。
▲工业控制:变频器、电机驱动模块的参数存储与配置。
▲物联网(IoT):传感器节点、边缘计算设备的程序与数据存储。
▲通信设备:路由器、交换机的配置文件存储。
 
GD25Q16ESIGR特征:
●高速数据传输:
°支持 Quad SPI 接口,满足高带宽需求,适用于快速数据读取和代码执行(XiP)。
°7 ns 访问时间显著降低系统延迟。
●灵活的数据保护:
°软件 / 硬件写保护:通过软件锁定部分或全部存储区域,或通过 WP# 引脚启用硬件保护。
°顶部 / 底部块保护:支持选择性保护特定存储块。
°深度掉电模式:功耗低至 1 μA,唤醒时间短。
●可靠性与安全性:
°符合工业级温度范围,适应严苛环境。
°支持唯一 128 位设备 ID 和串行闪存可发现参数(SFDP),增强系统安全性。
●低功耗设计:
°待机电流典型值 11 μA,适合电池供电或节能设备。
 
GD25Q16ESIGR概述:
GD25Q16ESIGR 是一款高性价比的串行闪存芯片,专为需要高速数据传输、可靠存储和灵活保护的应用设计。其 Quad SPI 接口和 532 Mbit/s 的传输速率使其在代码执行(XiP)和大数据量存储场景中表现优异。同时,硬件 / 软件写保护、工业级温度范围和长寿命特性,使其适用于对稳定性和安全性要求较高的工业与汽车领域。兆易创新提供的多种封装形式(如 SOP8、USON8 等)进一步增强了其在高密度电路板中的适用性。
 
GD25Q16ESIGR参数:
●反向断态电压(VRWM):18V
●击穿电压(VBR):20V(最小值)/ 22.1V(最大值)
●箝位电压(VC):≤29.2V(在峰值脉冲电流 20.5A 时)
●峰值脉冲电流(IPP):20.5A(10/1000μs 波形)
●峰值脉冲功率(PPP):600W
●反向漏电流(IR):≤1μA(在 VRWM 下)
●工作温度范围:-55℃ 至 +150℃(结温 TJ)
●封装形式:DO-214AA(SMB),尺寸为 4.85mm×3.75mm,高度 2.44mm
 
应用场景:
▲消费电子:机顶盒、智能家电、可穿戴设备的固件存储。
▲汽车电子:车载信息娱乐系统、ECU 的代码存储与数据记录。
▲工业控制:变频器、电机驱动模块的参数存储与配置。
▲物联网(IoT):传感器节点、边缘计算设备的程序与数据存储。
▲通信设备:路由器、交换机的配置文件存储。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ:800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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