TLV8542DR 运算放大器 封装 SOIC8 蓝信伟业
TLV8542DR 运算放大器 封装 SOIC8 蓝信伟业
TLV8542DR  运算放大器        封装 SOIC8       蓝信伟业
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TLV8542DR  运算放大器        封装 SOIC8       蓝信伟业
 
特征:
具有纳瓦级电源电流,每通道仅 500nA;失调电压最大为 3.1mV,温漂低至 0.8µV/°C;增益带宽为 8kHz,单位增益稳定;输入偏置电流低至 100fA;具备宽电源电压范围,为 1.7V 至 3.6V;具有轨至轨输入和输出特性,还内置 EMI 保护,抗干扰能力强。
 
说明:
TLV8542DR 是一款低功耗、高性能的双路运算放大器,采用 CMOS 架构,通过精心设计的输入级实现了超低偏置电流,能有效降低误差,适用于对功耗和精度有要求的电路。
 
参数:
电源电压范围 1.7V 至 3.6V,增益带宽积为 8kHz,转换速率为 0.0035V/µs,25°C 时最大失调电压 3.1mV,每通道静态电流 500nA,输入偏置电流 100fA,共模抑制比典型值 80dB,输出电流典型值 0.015A,工作温度范围 - 40°C 至 + 125°C。
 
应用场景:
适用于无线和低功耗有线设备中的成本优化型传感应用,如微波和 PIR 运动传感等运动检测安全系统,还可用于带有兆欧级反馈电阻器的跨阻放大器配置,以及高源阻抗传感电路等。
 
TLV8542DR  运算放大器        封装 SOIC8       蓝信伟业
 
特征:
具有纳瓦级电源电流,每通道仅 500nA;失调电压最大为 3.1mV,温漂低至 0.8µV/°C;增益带宽为 8kHz,单位增益稳定;输入偏置电流低至 100fA;具备宽电源电压范围,为 1.7V 至 3.6V;具有轨至轨输入和输出特性,还内置 EMI 保护,抗干扰能力强。
 
说明:
TLV8542DR 是一款低功耗、高性能的双路运算放大器,采用 CMOS 架构,通过精心设计的输入级实现了超低偏置电流,能有效降低误差,适用于对功耗和精度有要求的电路。
 
参数:
电源电压范围 1.7V 至 3.6V,增益带宽积为 8kHz,转换速率为 0.0035V/µs,25°C 时最大失调电压 3.1mV,每通道静态电流 500nA,输入偏置电流 100fA,共模抑制比典型值 80dB,输出电流典型值 0.015A,工作温度范围 - 40°C 至 + 125°C。
 
应用场景:
适用于无线和低功耗有线设备中的成本优化型传感应用,如微波和 PIR 运动传感等运动检测安全系统,还可用于带有兆欧级反馈电阻器的跨阻放大器配置,以及高源阻抗传感电路等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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