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SI2301ADS 高效能应用的P沟道MOSFET SOT23-3 蓝信伟业
SI2301ADS 高效能应用的P沟道MOSFET SOT23-3 蓝信伟业
SI2301ADS 高效能应用的P沟道MOSFET  SOT23-3 蓝信伟业
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SI2301ADS特征：
●P沟道MOSFET，
●采用TrenchFET技术，
●SOT23 封装，
●体积小，
●导通电阻低，
●符合 RoHS 指令。
 
SI2301ADS概述：
由 VBsemi 公司生产，是一款适用于低功耗、高效能应用的 P 沟道 MOSFET，具有优秀的热性能和电气特性。
 
SI2301ADS参数：
●漏源电压（VDS）最大为 - 20V，
●连续漏极电流（ID）在 VGS = -10V 时典型值为 - 5A。4.5V 栅极电压下，
●导通电阻（RDS (on)）典型值为 57mΩ，
●栅极阈值电压（Vth）约为 - 0.81V，
●最大结温（TJ）为 - 55°C 到 150°C。
 
应用场景：
▲常用于开关电源、电机驱动、功率放大器等电路中。
 
SI2301ADS特征：
●P沟道MOSFET，
●采用TrenchFET技术，
●SOT23 封装，
●体积小，
●导通电阻低，
●符合 RoHS 指令。
 
SI2301ADS概述：
由 VBsemi 公司生产，是一款适用于低功耗、高效能应用的P沟道MOSFET，具有优秀的热性能和电气特性。
 
SI2301ADS参数：
●漏源电压（VDS）最大为 - 20V，
●连续漏极电流（ID）在 VGS = -10V 时典型值为 - 5A。4.5V 栅极电压下，
●导通电阻（RDS (on)）典型值为 57mΩ，
●栅极阈值电压（Vth）约为 - 0.81V，
●最大结温（TJ）为 - 55°C 到 150°C。
 
应用场景：
▲常用于开关电源、电机驱动、功率放大器等电路中。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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