- 电子元件
- JRC/新日本无线
- JSCJ/长晶
- ST/意法半导体
- TI/德州仪器
- MAXIM/美信
- I-CORE/中微爱芯
- ISD/华邦
- INFINEON/英飞凌/IR
- ADI/亚德诺
- ST/先科
- ROHM/罗姆
- PULS/巨华
- WINBOND/华邦
- MURATA/村田
- TMTECH/凯鈺
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- ON/安森美
- UTC/友顺/友旺
- NXP/恩智浦
- TOSHIBA/东芝
- CRMICRO/华润华晶微
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- JINGDAO/晶导微
- DIODES/美台
- WINBOND/华邦
- MICROCHIP/微芯
- CHIPSTAR/智浦欣
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- RENESAS/瑞萨
- MICROCHIP/微芯
- GD/兆易创新
- 二三极管
- 电容
- 电阻
- 电解电容
- 插件电解电容
- 电感
- 晶振
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- 磁珠
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- 其他品牌①
- IMP/日银
- EVERLIG/亿光
- MICRONE/微盟
- LOWPOWER/微源
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- SGM/圣邦微
- XLSEMI/上海芯龙
- PANASONIC/松下
- ATMEL/爱特梅尔
- NEC/日电
- XYSEMI/赛芯微
- STC/宏晶
- SANKEN/三肯
- NS/国半
- SILAN/士兰微
- AVAGO/安华高
- SILICON/矽映
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- NUVOTON/新唐
- ALLIANCE/联盟半导体
- COILCRAFT/线艺
- SONGLE/松乐
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- SANKEN/三肯
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- MPS/美国芯源
- SONIX/松翰
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- BELLING/上海贝岭
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- AOS/万代
- PTC/普诚
- 北陆
- HOTCHIP/华芯邦
- MORNSUN/金升阳
- LTK/联辉科
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- EMMICRO/微电子
- SEP/国产
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- ORIENT/奥伦德
- AME/安茂微
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- UNION英联
- 华晶品牌
- 风华
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- ABRACON/艾博康
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- HEXIN/禾芯微
- HRS/日本广濑
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- SOLOMON/晶门
- SK/森浦科
- ISSI/芯成
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- ROCKCHIP瑞芯微
- 其他品牌②
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- APLUS/巨华
- AOS/美国万代
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- HLF/洪利发
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- GENITOP/高通
- KEC/开益禧
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- SILAN/士兰微
- ON-BRIGHT/昂宝
- AVAGO/安华高
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- MOSPEC/统懋
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- MOSPEC/统懋
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- SAMSUNG/三星
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- SONIX/松翰
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- SHARP/夏普
- AOS/万代
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- SILERGY/矽力杰
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- CHIPOWN/芯朋微
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- HTC/韩国泰进
- SINOPOWER/大中
- ASM/赛腾微
- JDT/集电通
- MITSUBISHI/三菱
- WST/新硅
- MICREL/麦瑞
- HAOYU/昊昱
- 帕沃英蒂格盛
- SILIKRON/硅能
- IXYS/艾赛斯
- STARSEA/星海
- MICRON/美光
- HK/航顺
- WOLFSON/欧胜微
- TONTEK通泰
- NATLINEAR/南麟
- SHINDENGEN/新电元
- CATALYST/美商凯特利
- EON/宜扬
- SHOUDING/首鼎
- APT/晶科电子
- 3PEAK/思瑞浦
- DIODES/美台
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- KSD/国产
- WEEN/瑞能
- MATSUKI/松木
- QUINTIC/昆天
- MEGAWIN/笙泉
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- SEMITEH/胜敏特
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- HEXIN/禾芯微
- TSC/台湾半导体
- TECHCODE/泰德
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- NSIWAY/纳芯威
- PANJIT/强茂
- CHIPLINK/芯联
- HY/华羿微
- SYNCMOS/新茂
- OMRON/欧姆龙
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- GENESYS/创惟科技
- ALCOR/安国
- SEIKO/精工
- ALTERA/阿尔特拉
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- FUJITSU/富士通
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- CHIPSTAR/智浦欣
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- KTMICRO/昆腾微
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- SILICON/芯科
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- TASUND/泰盛达
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- RICORE/高域科
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- COSMOSIC/鸿宇半导体
- LRC/乐山
- AVX/安施
- BPOWLICON/宝砾微
- ESS/美国亿世
- ICF/百隆微
- SEMITEH/胜敏特
- REALTEK/瑞昱
- KI/中微晶园
- INVENSENSE/应美盛
- GOOD-ARK/苏州固锝
- RENESAS/瑞萨
- HGSEMI/华冠
- RUIMENG/瑞盟
- WS/香港永盛
- YANGJIE/扬杰
- ANPEC/茂达电子
- ASCEND/安森德
- HANRUN/汉仁
- JK/金科
- CSR/英桥无线
- BRIGHTKING/君耀
- BEKEN/博通
- COPO/酷珀微
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- FEELING/遠翔科技
- ELNA/伊娜
- HDK/北陆电气
- ALLEGRO/雅丽高
- CSC/菉华半导体
- NO/国产贴牌东芝
- TERMINUS/汤铭
- SILAN/士兰微
- SOLOMON/晶门
- PUYASEMI/普冉
- ALLWINNER/珠海全志
- ESPRESSIF/乐鑫
- AEROSEMI/航天民芯
- SEMIWILL/赛米微尔
- SEMIONE/芯电元
- SLKOR/萨科微
- NISSHINBO/日清纺微
- MHCHXM/海矽美
- SAGAMI相模
- FUJICON/富之光
- NANYA/南亚
- PANCHANG/磐昌
- HTC韩国泰进
- MDD/辰达行
- FM/复旦微
- MCC/美微科
- EG/屹晶微
- AMS/美国奥地利微
- NTC/航臣
- LIANYI/联益微
- KIWI/必易微
- JOULWATT/杰华特
- CXMT/长鑫存储
- BOYA/博雅
- TP/拓微
- GK/固得沃克
- BORN/伯恩半导体
- KORCHIP/高奇普
- OCX/欧创芯
- TE/泰科
- FARATRONIC/厦门法拉
- FMD/辉芒微
- JSMSEMI/杰盛微
- PARADE/谱瑞科
- DJSE/东捷仕
- TOKO/东光
- SMC/桑德斯
- CROSSCHIP/成都芯进
- MINDMOTION/灵动微
- WURTH/伍尔特
- SLM/无锡松朗微
- TKS/兴勤
- HDSC/华大半导体
- RICOH/理光
- BAOTER/宝特
- SIGMA/希格玛
- PULSE/普思电子
- DIOO/帝奥微
- BTLFUSE/比特利
- WG/威谷微
- WURTH/伍尔特
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- LANXIN/蓝信
- DK/东科
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- LELON/台湾立隆
- WILLSEMI 韦尔
- MSKSEMI 美森科
- MACMIC宏微
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- ZBIT/恒烁
- YAGEO/国巨
- XPT/矽普特
- MT/台湾茂钿
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LME49720MAX/NOPB 双运算放大器 封装SOIC8 蓝信伟业
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LME49720MAX/NOPB 双运算放大器 封装SOIC8 蓝信伟业
特征:
●超低失真与噪声:
●总谐波失真加噪声(THD+N)典型值仅 0.00003%(1kHz,VO=10Vrms,RL=2kΩ),失真极小,适合高保真音频和精密测量;
●电压噪声密度典型值 2.5nV/√Hz(1kHz),电流噪声密度 0.6fA/√Hz,对微弱信号的干扰小。
●高精度与高稳定性:
●输入失调电压(VOS)典型值 100μV,最大值 300μV,长期漂移小;
●高开环增益(典型值 160dB)和高共模抑制比(CMRR,典型值 130dB),确保信号放大的准确性和抗干扰能力。
●宽电压与带宽:
●电源电压范围:±4V~±24V(单电源 8V~48V),适配多种电源系统;
●增益带宽积(GBW)典型值 20MHz,转换速率(SR)典型值 20V/μs,适合高频信号处理(如宽频带传感器信号)。
●高输出驱动能力:可提供 ±50mA 的输出电流,能直接驱动低阻抗负载(如 600Ω 音频负载),无需额外缓冲电路。
●宽温度范围:工作温度范围 - 40℃~+125℃(工业级),适应严苛环境下的稳定运行。
说明:
LME49720MAX/NOPB 是 TI 针对高保真音频和精密测量领域设计的高性能双运放,基于 TI 的互补双极型(CB)工艺,以 “超低失真、低噪声、高输出驱动” 为核心优势。其双运放集成设计在保证性能的同时节省了 PCB 空间,广泛应用于对信号保真度和精度要求极高的场景,是高端音频设备和精密仪器的理想选择。
参数:
●电源电压范围:±4V~±24V(双电源),8V~48V(单电源);
●输入失调电压(VOS):典型 100μV,最大 300μV(TA=25℃);
●总谐波失真加噪声(THD+N):0.00003%(典型值,1kHz,VO=10Vrms);
●电压噪声密度:2.5nV/√Hz(典型值,1kHz);
●增益带宽积(GBW):20MHz(典型值);
●转换速率(SR):20V/μs(典型值);
●输出电流:±50mA(典型值);
●静态电流(每通道):典型 4.5mA;
●工作温度范围:-40℃~+125℃;
●封装:8 引脚 SOIC。
应用场景:
●高端音频设备:高保真音响前置放大器、耳机放大器、音频解码器、调音台,超低失真特性保证音质还原;
●精密测量仪器:示波器、频谱分析仪、数据采集系统(DAQ)的信号调理电路,低噪声特性适合微弱信号(如传感器输出)的放大;
●医疗电子:高精度生理信号监测设备(如脑电图 EEG、肌电图 EMG),高共模抑制比有效抑制工频干扰;
●通信系统:射频(RF)信号调理、中频(IF)放大器,宽频带特性适配高频信号处理;
●工业控制:高精度传感器(如应变片、压力传感器)的信号放大,确保测量精度。
LME49720MAX/NOPB 双运算放大器 封装SOIC8 蓝信伟业
特征:
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●电压噪声密度典型值 2.5nV/√Hz(1kHz),电流噪声密度 0.6fA/√Hz,对微弱信号的干扰小。
●高精度与高稳定性:
●输入失调电压(VOS)典型值 100μV,最大值 300μV,长期漂移小;
●高开环增益(典型值 160dB)和高共模抑制比(CMRR,典型值 130dB),确保信号放大的准确性和抗干扰能力。
●宽电压与带宽:
●电源电压范围:±4V~±24V(单电源 8V~48V),适配多种电源系统;
●增益带宽积(GBW)典型值 20MHz,转换速率(SR)典型值 20V/μs,适合高频信号处理(如宽频带传感器信号)。
●高输出驱动能力:可提供 ±50mA 的输出电流,能直接驱动低阻抗负载(如 600Ω 音频负载),无需额外缓冲电路。
●宽温度范围:工作温度范围 - 40℃~+125℃(工业级),适应严苛环境下的稳定运行。
说明:
LME49720MAX/NOPB 是 TI 针对高保真音频和精密测量领域设计的高性能双运放,基于 TI 的互补双极型(CB)工艺,以 “超低失真、低噪声、高输出驱动” 为核心优势。其双运放集成设计在保证性能的同时节省了 PCB 空间,广泛应用于对信号保真度和精度要求极高的场景,是高端音频设备和精密仪器的理想选择。
参数:
●电源电压范围:±4V~±24V(双电源),8V~48V(单电源);
●输入失调电压(VOS):典型 100μV,最大 300μV(TA=25℃);
●总谐波失真加噪声(THD+N):0.00003%(典型值,1kHz,VO=10Vrms);
●电压噪声密度:2.5nV/√Hz(典型值,1kHz);
●增益带宽积(GBW):20MHz(典型值);
●转换速率(SR):20V/μs(典型值);
●输出电流:±50mA(典型值);
●静态电流(每通道):典型 4.5mA;
●工作温度范围:-40℃~+125℃;
●封装:8 引脚 SOIC。
应用场景:
●高端音频设备:高保真音响前置放大器、耳机放大器、音频解码器、调音台,超低失真特性保证音质还原;
●精密测量仪器:示波器、频谱分析仪、数据采集系统(DAQ)的信号调理电路,低噪声特性适合微弱信号(如传感器输出)的放大;
●医疗电子:高精度生理信号监测设备(如脑电图 EEG、肌电图 EMG),高共模抑制比有效抑制工频干扰;
●通信系统:射频(RF)信号调理、中频(IF)放大器,宽频带特性适配高频信号处理;
●工业控制:高精度传感器(如应变片、压力传感器)的信号放大,确保测量精度。
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068
联系QQ:800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐,用微信扫一扫二维码,即可自动储存联系方式!

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