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RU7088R N 沟道场效应晶体管 封装TO-220 蓝信伟业
RU7088R N 沟道场效应晶体管 封装TO-220 蓝信伟业
RU7088R    N 沟道场效应晶体管        封装TO-220       蓝信伟业
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RU7088R    N 沟道场效应晶体管        封装TO-220       蓝信伟业
 
特征：
具有超低导通电阻，可降低导通损耗；具备出色的 dv/dt 能力，能承受较高的电压变化率；开关速度快，且完全雪崩额定，经过 100% 雪崩测试，工作可靠性高；工作温度范围宽，可达 - 55℃至 + 175℃，还支持无铅环保标准。
 
说明：
RU7088R 是一款 N 沟道先进功率 MOSFET，采用 Trench 技术，通过优化设计实现了低导通电阻和高电流处理能力，能在高电压、大电流环境下稳定工作，为开关电源等电路提供高效的功率控制。
 
参数：
漏源电压（Vdss）为 70V，栅源电压（Vgss）为 ±25V，连续漏极电流（Id）为 80A，耗散功率（Pd）为 150W，导通电阻（RDS (on)）典型值为 6.5mΩ（Vgs=10V，Ids=40A 时），最大结温为 175℃。
 
应用场景：
主要应用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域，也可用于一些需要大功率开关控制的家用电器和新能源设备中。
 
RU7088R    N 沟道场效应晶体管        封装TO-220       蓝信伟业
 
特征：
具有超低导通电阻，可降低导通损耗；具备出色的 dv/dt 能力，能承受较高的电压变化率；开关速度快，且完全雪崩额定，经过 100% 雪崩测试，工作可靠性高；工作温度范围宽，可达 - 55℃至 + 175℃，还支持无铅环保标准。
 
说明：
RU7088R 是一款 N 沟道先进功率 MOSFET，采用 Trench 技术，通过优化设计实现了低导通电阻和高电流处理能力，能在高电压、大电流环境下稳定工作，为开关电源等电路提供高效的功率控制。
 
参数：
漏源电压（Vdss）为 70V，栅源电压（Vgss）为 ±25V，连续漏极电流（Id）为 80A，耗散功率（Pd）为 150W，导通电阻（RDS (on)）典型值为 6.5mΩ（Vgs=10V，Ids=40A 时），最大结温为 175℃。
 
应用场景：
主要应用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域，也可用于一些需要大功率开关控制的家用电器和新能源设备中。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
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