IR21531STRPBF 栅极驱动 IC
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IR21531STRPBF特征
•集成 600 V 半桥栅极驱动器
•Vcc 上的 15.6 V 齐纳箝位
•真正的微功耗启动
•更严格的初始死区时间控制
低温系数下的死区时间
•CT 引脚上的关断特性 (1/6th Vcc)
•增加欠压锁定迟滞 (1 V)
•较低功耗的电平移位电路
•启动时的恒定 LO、HO 脉冲宽度
•较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性
•高边输出与 RT 同相
•所有输入和输出均具有出色的锁定抗扰度
•所有引脚上均具有 ESd 保护
 
IR21531STRPBF说明
半桥驱动器 LO 与 RT 同相,具有可编程振荡频率,死区时间为 0.6µs,采用 8 引脚 SOIC 封装,并且具有不同相位
 
自激振荡 600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.18 A 拉电流和 0.26 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于 IGBT和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP 封装可选。
 
 
 
 
 
 
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