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2SK880-GR(TE85L,F) N沟道结型场效应管 SOT323 蓝信伟业
2SK880-GR(TE85L,F) N沟道结型场效应管 SOT323 蓝信伟业
2SK880-GR(TE85L,F)
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2SK880-GR(TE85L,F)特征：
东芝 N 沟道结型 FET（JFET），SC-70/SOT-323 表面贴装封装，专为音频低频低噪声放大设计，栅极电流耐受度高，正向传输导纳稳定，噪声系数低，宽温工作，适合小信号放大场景。
 
2SK880-GR(TE85L,F)概述：
该型号是东芝专为音频低频低噪声放大打造的表面贴装 JFET，兼具小封装与低噪声特性，无需复杂偏置即可工作，在音频信号放大、前置放大等场景中能有效降低噪声，提升信号纯净度，是音频设备与精密仪器的常用放大元件。
 
2SK880-GR(TE85L,F)参数：
类型 N 沟道 JFET；最大栅 - 漏电压 V_{GDS}-50V；零栅压漏极电流 I_{DSS} 1.2mA~14mA；栅 - 源截止电压最大 - 1.5V；最大功耗 100mW；工作温度 - 55℃~+125℃；封装 SC-70（3 引脚）；正向传输导纳 | Yfs | 最小 4mS。
 
应用场景：
▲适用于音频设备（耳机放大器、音响前置放大）、通信设备的低噪声信号放大电路，以及测量仪器、传感器信号调理模块，还可用于工业控制中的微弱信号放大，保障信号传输精度。
2SK880-GR(TE85L,F)特征：
东芝 N 沟道结型 FET（JFET），SC-70/SOT-323 表面贴装封装，专为音频低频低噪声放大设计，栅极电流耐受度高，正向传输导纳稳定，噪声系数低，宽温工作，适合小信号放大场景。
 
2SK880-GR(TE85L,F)概述：
该型号是东芝专为音频低频低噪声放大打造的表面贴装 JFET，兼具小封装与低噪声特性，无需复杂偏置即可工作，在音频信号放大、前置放大等场景中能有效降低噪声，提升信号纯净度，是音频设备与精密仪器的常用放大元件。
 
2SK880-GR(TE85L,F)参数：
类型 N 沟道 JFET；最大栅 - 漏电压 V_{GDS}-50V；零栅压漏极电流 I_{DSS} 1.2mA~14mA；栅 - 源截止电压最大 - 1.5V；最大功耗 100mW；工作温度 - 55℃~+125℃；封装 SC-70（3 引脚）；正向传输导纳 | Yfs | 最小 4mS。
 
应用场景：
▲适用于音频设备（耳机放大器、音响前置放大）、通信设备的低噪声信号放大电路，以及测量仪器、传感器信号调理模块，还可用于工业控制中的微弱信号放大，保障信号传输精度。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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