PCP1302-TD-H 场效应管(MOSFET)
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PCP1302-TD-H特征
●非常低的 (续) ,屏蔽闸沟技术
●低档Pqfn8x8包
●最高连接温度175C
●顺从的
●低QRR软体二极管
 
 
PCP1302-TD-H说明
该N-通道Ptng80VMOSFET是利用半导体先进的电力沟槽工艺,其中包括屏蔽门技术。这一过程已经优化,以最小化在状态电阻,但保持优越的开关性能。
 
 
 
PCP1302-TD-H特征
●非常低的 (续) ,屏蔽闸沟技术
●低档Pqfn8x8包
●最高连接温度175C
●顺从的
●低QRR软体二极管
 
 
PCP1302-TD-H说明
该N-通道Ptng80VMOSFET是利用半导体先进的电力沟槽工艺,其中包括屏蔽门技术。这一过程已经优化,以最小化在状态电阻,但保持优越的开关性能。
 
 
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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