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CJAB35N03S N 沟道 MOSFET 封装PDFNWB-8L 蓝信伟业
CJAB35N03S N 沟道 MOSFET 封装PDFNWB-8L 蓝信伟业
N 沟道功率 MOSFET
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CJAB35N03S   N 沟道 MOSFET   封装PDFNWB-8L        蓝信伟业
 
特征：
●高耐压能力：
●漏源电压（Vdss）：30V，适用于低电压至中等电压的电路设计。
●大电流处理能力：
●连续漏极电流（Id）：35A，能够承受较大的电流负载。
●低导通电阻：
●导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ（@4.5V, 10A），降低功耗，提高效率。
●高功率耗散：
●耗散功率（Pd）：25W，适用于高功率应用场景。
●快速开关特性：
●栅极电荷量（Qg）：24nC（@10V），快速响应，适合高频应用。
●宽工作温度范围：
●工作温度：-55℃ 至 +150℃，适应各种恶劣环境。
 
说明：
长晶 CJAB35N03S 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，适用于电源管理、电机驱动、LED 照明、电池管理、通信设备和工业控制等多个领域。其高功率处理能力、低导通电阻和快速开关特性，使其成为各种高要求应用的理想选择。
 
关键参数：
●封装 PDFNWB-8L - 3.3×3.3mm
●类型 N 沟道 MOSFET - -
●漏源电压（Vdss） 30 V -
●连续漏极电流（Id） 35 A -
●导通电阻（RDS(on)） 7.5 mΩ @4.5V, 10A
●耗散功率（Pd） 25 W -
●阈值电压（Vgs(th)） 1.3 V -
●栅极电荷量（Qg） 24 nC @10V
●工作温度范围 -55 至 +150 ℃ -
 
应用场景：
●电源管理：
●用于 DC-DC 转换器、开关电源等，实现高效的功率转换和管理。
●电机驱动：
●适用于直流电机、步进电机的驱动控制，提供稳定的电流输出。
●LED 照明：
●用于 LED 驱动电路，实现电流的精确控制和调节。
●电池管理：
●在电池保护电路中，用于过充、过放、过流保护。
●通信设备：
●用于信号开关和保护，确保通信设备的稳定运行。
●工业控制：
●在 PLC（可编程逻辑控制器）、变频器等设备中，实现信号的快速切换。
 
CJAB35N03S   N 沟道 MOSFET   封装PDFNWB-8L        蓝信伟业
 
特征：
●高耐压能力：
●漏源电压（Vdss）：30V，适用于低电压至中等电压的电路设计。
●大电流处理能力：
●连续漏极电流（Id）：35A，能够承受较大的电流负载。
●低导通电阻：
●导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ（@4.5V, 10A），降低功耗，提高效率。
●高功率耗散：
●耗散功率（Pd）：25W，适用于高功率应用场景。
●快速开关特性：
●栅极电荷量（Qg）：24nC（@10V），快速响应，适合高频应用。
●宽工作温度范围：
●工作温度：-55℃ 至 +150℃，适应各种恶劣环境。
 
说明：
长晶 CJAB35N03S 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，适用于电源管理、电机驱动、LED 照明、电池管理、通信设备和工业控制等多个领域。其高功率处理能力、低导通电阻和快速开关特性，使其成为各种高要求应用的理想选择。
 
关键参数：
●封装 PDFNWB-8L - 3.3×3.3mm
●类型 N 沟道 MOSFET - -
●漏源电压（Vdss） 30 V -
●连续漏极电流（Id） 35 A -
●导通电阻（RDS(on)） 7.5 mΩ @4.5V, 10A
●耗散功率（Pd） 25 W -
●阈值电压（Vgs(th)） 1.3 V -
●栅极电荷量（Qg） 24 nC @10V
●工作温度范围 -55 至 +150 ℃ -
 
应用场景：
●电源管理：
●用于 DC-DC 转换器、开关电源等，实现高效的功率转换和管理。
●电机驱动：
●适用于直流电机、步进电机的驱动控制，提供稳定的电流输出。
●LED 照明：
●用于 LED 驱动电路，实现电流的精确控制和调节。
●电池管理：
●在电池保护电路中，用于过充、过放、过流保护。
●通信设备：
●用于信号开关和保护，确保通信设备的稳定运行。
●工业控制：
●在 PLC（可编程逻辑控制器）、变频器等设备中，实现信号的快速切换。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

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