- 电子元件
- JRC/新日本无线
- JSCJ/长晶
- ST/意法半导体
- TI/德州
- MAXIM/美信
- I-CORE/中微爱芯
- ISD/华邦
- INFINEON/英飞凌/IR
- ADI/亚德诺
- ST/先科
- ROHM/罗姆
- PULS/巨华
- WINBOND/华邦
- MURATA/村田
- TMTECH/凯鈺
- FSC/仙童
- ON/安森美
- UTC/友顺/友旺
- NXP/恩智浦
- TOSHIBA/东芝
- CRMICRO/华润华晶微
- SGMICRO/圣邦微
- JINGDAO/晶导微
- DIODES/美台
- WINBOND/华邦
- MICROCHIP/微芯
- CHIPSTAR/智浦欣
- PHILIPS/飞利浦
- LRC/乐山
- RENESAS/瑞萨
- MICROCHIP/微芯
- GD/兆易创新
- 二三极管
- 电容
- 电阻
- 电解电容
- 插件电解电容
- 电感
- 晶振
- MIC/国产
- 磁珠
- NO/国产中性
- 其他品牌①
- IMP/日银
- EVERLIG/亿光
- MICRONE/微盟
- LOWPOWER/微源
- QX/泉芯
- SGM/圣邦微
- XLSEMI/上海芯龙
- PANASONIC/松下
- ATMEL/爱特梅尔
- NEC/日电
- XYSEMI/赛芯微
- STC/宏晶
- SANKEN/三肯
- NS/国半
- SILAN/士兰微
- AVAGO/安华高
- SILICON/矽映
- UMW友台
- HOLTEK/合泰
- MIXIC/中科芯亿达
- NUVOTON/新唐
- ALLIANCE/联盟半导体
- COILCRAFT/线艺
- SONGLE/松乐
- GEEHY/极海半导体
- SANKEN/三肯
- PTC/台湾普诚
- MPS/美国芯源
- SONIX/松翰
- CYPRESS/赛普拉斯
- VISHAY/威世
- BELLING/上海贝岭
- HEXIN/禾芯微
- AOS/万代
- PTC/普诚
- 北陆
- HOTCHIP/华芯邦
- MORNSUN/金升阳
- LTK/联辉科
- OCS/灿瑞
- DALLAS/达拉斯
- EMMICRO/微电子
- SEP/国产
- HONGFA/宏发
- CKS/中科芯
- AIC/沛亨
- BDNC/比特联创
- 台产
- WAVEFRONT/享麦电子
- FREESCALE/飞思卡尔
- CR启达
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- ETA钰泰
- JST/日压
- SKYWORKS/思佳讯
- ORIENT/奥伦德
- AME/安茂微
- CMEDIA/骅讯
- UNION英联
- 华晶品牌
- 风华
- 金属膜电阻
- QORVO/威讯联合
- ICSI/台湾矽成积体
- ABRACON/艾博康
- ISSI/芯成
- HEXIN/禾芯微
- HRS/日本广濑
- SUNTO尚途
- SOLOMON/晶门
- SK/森浦科
- ISSI/芯成
- HLF/洪利发
- ROCKCHIP瑞芯微
- 其他品牌②
- YXC/扬兴
- APLUS/巨华
- AOS/美国万代
- SANYO/三洋
- SEIKO/精工
- HLF/洪利发
- FM/富满
- SUNLORD/顺络
- TDK/东电化
- PUYA/普冉
- HOKURIKU/北陆
- GENITOP/高通
- KEC/开益禧
- TOREX/特瑞仕
- SX/硕芯
- LINEAR/凌特
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- EXAR/艾科嘉
- SEMTECH/美国升特
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- FUJITSU/富士通
- SILAN/士兰微
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- AVAGO/安华高
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- MOSPEC/统懋
- LITEON/光宝
- MOSPEC/统懋
- CIRRUS LOGIC/凌云
- SM明微
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- THINE/塞恩
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- NEXPERIA/安世
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- AMS/艾迈斯
- SONIX/松翰
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- TM/天微
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- AKM/旭化成
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- TXC/台湾晶技
- RUICHIPS/锐骏
- CHIPOWN/芯朋微
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- XINLUDA信路达
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- SINOPOWER/大中
- ASM/赛腾微
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- MITSUBISHI/三菱
- WST/新硅
- MICREL/麦瑞
- HAOYU/昊昱
- 帕沃英蒂格盛
- SILIKRON/硅能
- IXYS/艾赛斯
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- HK/航顺
- WOLFSON/欧胜微
- TONTEK通泰
- NATLINEAR/南麟
- SHINDENGEN/新电元
- CATALYST/美商凯特利
- EON/宜扬
- SHOUDING/首鼎
- APT/晶科电子
- 3PEAK/思瑞浦
- DIODES/美台
- ROYALOHM/厚声
- KSD/国产
- WEEN/瑞能
- MATSUKI/松木
- QUINTIC/昆天
- MEGAWIN/笙泉
- LITTELFUSE/力特
- KTMICRO/昆腾微
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- SKHYNIX/海力士
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- TECHCODE/泰德
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- FUJITSU/富士通
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- CHIPSTAR/智浦欣
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- TASUND/泰盛达
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- ICF/百隆微
- SEMITEH/胜敏特
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- RENESAS/瑞萨
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- HTC韩国泰进
- MDD/辰达行
- FM/复旦微
- MCC/美微科
- EG/屹晶微
- AMS/美国奥地利微
- NTC/航臣
- LIANYI/联益微
- KIWI/必易微
- JOULWATT/杰华特
- CXMT/长鑫存储
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- TE/泰科
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- FMD/辉芒微
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- SLM/无锡松朗微
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- HDSC/华大半导体
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- BAOTER/宝特
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- WURTH/伍尔特
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- GOFORD/谷峰
- LELON/台湾立隆
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FQPF3N80C特征
●3A, 800V, RDS(on) = 4.8Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.5A栅极电荷低（典型值：13nC)
●低 Crss（典型值5.5pF)
●100% 经过雪崩击穿测试"
●100% avalanche tested
FQPF3N80C说明
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属工艺生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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