US1M 超快恢复二极管 封装SMA 蓝信伟业
US1M 超快恢复二极管 封装SMA 蓝信伟业
US1M     超快恢复二极管         封装SMA        蓝信伟业
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US1M     超快恢复二极管         封装SMA        蓝信伟业
 
特征:
反向恢复时间短,仅为 75ns,在高频开关应用中可减少开关损耗和热耗散。直流反向耐压高达 1kV,能抵御较高电压冲击,电气噪声和瞬态电压承受能力好。反向泄漏电流低,仅 5µA@1kV,可降低系统功耗。
 
说明:
US1M 是一款高性能的快恢复二极管,采用先进的制造工艺,兼具高耐压、低正向压降和优秀的热稳定性,能在多种复杂环境下稳定工作。其小电流、贴片特性使其便于集成到各种小型化电子设备中。
 
 
参数:
平均整流电流(Io)为 1A,正向压降(Vf)为 1.7V@1A,浪涌电流 Ifsm 为 30A,工作温度范围为 - 65°C 到 150°C。
 
 
应用场景:
广泛应用于开关电源、适配器、LED 照明、电池充电器等领域,也可用于电机控制、通信设备中的信号整流和开关电路等,能提高电源转换效率,确保设备稳定运行。
 
US1M     超快恢复二极管         封装SMA        蓝信伟业
 
特征:
反向恢复时间短,仅为 75ns,在高频开关应用中可减少开关损耗和热耗散。直流反向耐压高达 1kV,能抵御较高电压冲击,电气噪声和瞬态电压承受能力好。反向泄漏电流低,仅 5µA@1kV,可降低系统功耗。
 
说明:
US1M 是一款高性能的快恢复二极管,采用先进的制造工艺,兼具高耐压、低正向压降和优秀的热稳定性,能在多种复杂环境下稳定工作。其小电流、贴片特性使其便于集成到各种小型化电子设备中。
 
 
参数:
平均整流电流(Io)为 1A,正向压降(Vf)为 1.7V@1A,浪涌电流 Ifsm 为 30A,工作温度范围为 - 65°C 到 150°C。
 
 
应用场景:
广泛应用于开关电源、适配器、LED 照明、电池充电器等领域,也可用于电机控制、通信设备中的信号整流和开关电路等,能提高电源转换效率,确保设备稳定运行。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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