CS10N65FA9R

热销产品

CS10N65FA9R N 沟道增强型 VDMOSFET 晶体管封装TO-220F 蓝信伟业

价格: ￥1.500 - ￥2.500

库存: 8000

积分: 0

详细介绍

商品属性

售后服务

评价信息(0)

商品咨询

CS10N65FA9R N 沟道增强型 VDMOSFET 晶体管封装TO-220F 蓝信伟业

特征：

通过自对准平面技术降低了导通损耗，提高了开关性能，并增强了雪崩能量。具有较低的反向传输电容，且经过 100% 单脉冲雪崩能量测试，可满足一些对可靠性要求较高的应用场景。

说明：

CS10N65FA9R 是华润华晶微推出的一款高压 MOS 管，能够在较高电压下工作，适用于多种功率开关电路，有助于实现系统的小型化和更高效率。其 TO-220F 封装便于在电路板上安装，且符合环保标准，有利于产品的绿色生产。

关键参数：

漏源电压（Vdss）为 650V，25°C 时连续漏极电流（Id）为 10A，栅源极阈值电压为 4V@250μA，漏源导通电阻为 1Ω@5A、10V，最大功率耗散（Ta=25°C）为 40W。

应用场景：

主要应用于适配器和充电器的电源开关电路，也可用于其他需要高压、大电流控制的电源转换电路，如开关电源、DC-DC 变换器等，还可在一些工业控制电路、电机驱动电路中作为功率开关器件使用。

CS10N65FA9R N 沟道增强型 VDMOSFET 晶体管封装TO-220F 蓝信伟业

特征：

说明：

关键参数：

漏源电压（Vdss）为 650V，25°C 时连续漏极电流（Id）为 10A，栅源极阈值电压为 4V@250μA，漏源导通电阻为 1Ω@5A、10V，最大功率耗散（Ta=25°C）为 40W。

应用场景：

电话:+86-755-83681378 83291586 83687442

传真:+86-755-83687442

移动电话:13424188068

联系QQ：800007218

联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐

用微信扫一扫二维码，即可自动储存联系方式！

为您推荐