IKW75N60T 600 V IGBT,采用反并联二极管,TO-247 封装
IKW75N60T 600 V IGBT,采用反并联二极管,TO-247 封装
英飞凌的 600 V、75 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT3,采用在 TO-247中封装得全额定续流二极管,由于结合了沟槽单元和场终止概念,显著提高了静态和动态性能。IGBT和软恢复发射极控制二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于开关和传导损耗之间实现了折中方案,因此达到了较高效率。
价格: ¥18.000 - ¥18.600
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IKW75N60T特征:
●更低的传导损耗实现较低的 VCEsat 压降
●低开关损耗
●由于 VCEsat 中的正温度系数,因此易于进行平行开关
●非常软且快速恢复的反平行发射极控制二极管
●具有高鲁棒性、温度稳定的行为
●低电磁干扰辐射
●低栅极电荷
●非常严格的参数分配
●高效率 - 低传导和开关损耗
●600 V 和 1200 V 的全面产品组合可实现设计灵活性
●设备可靠性高
 
 
IKW75N60T说明:
英飞凌的 600 V、75 A 硬开关 TRENCHSTOP™ IGBT3,采用在 TO-247中封装得全额定续流二极管,由于结合了沟槽单元和场终止概念,显著提高了静态和动态性能。IGBT和软恢复发射极控制二极管的结合进一步降低了开通损耗。由于开关和传导损耗之间实现了折中方案,因此达到了较高效率。
 
 
 
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