FQP4N90C 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，4 A，4.2 Ω，TO-220

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FQP4N90C

FQP4N90C特征：

●4A, 900V, RDS(on) = 4.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 2A栅极电荷低（典型值：17nC)

●低 Crss（典型值5.6pF)

●100% 经过雪崩击穿测试"

●100% avalanche tested

FQP4N90C说明：

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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