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IRFI9640GPBF MOSFET 200V P沟道
IRFI9640GPBF MOSFET 200V P沟道
IRFI9640GPBF
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IRFI9640GPBF特征：
●晶体管极性：P-Channel     
●通道数量：1 Channel     
●Vds-漏源极击穿电压：200 V     
●Id-连续漏极电流：6.1 A     
●Rds On-漏源导通电阻：500 mOhms     
●Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V     
●Vgs th-栅源极阈值电压：4 V     
●Qg-栅极电荷：44 nC     
●最小工作温度：- 55 C     
●最大工作温度：+ 150 C     
●Pd-功率耗散：40 W  
 
IRFI9640GPBF特征：
●晶体管极性：P-Channel     
●通道数量：1 Channel     
●Vds-漏源极击穿电压：200 V     
●Id-连续漏极电流：6.1 A     
●Rds On-漏源导通电阻：500 mOhms     
●Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V     
●Vgs th-栅源极阈值电压：4 V     
●Qg-栅极电荷：44 nC     
●最小工作温度：- 55 C     
●最大工作温度：+ 150 C     
●Pd-功率耗散：40 W  
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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