IRFB5615PBF 采用TO220封装的150V单N沟道数字音频功率 MOSFET
IRFB5615PBF 采用TO220封装的150V单N沟道数字音频功率 MOSFET
IRFB5615PBF 采用 TO-220 封装的 150V 单 N 沟道数字音频功率 MOSFET
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IRFB5615PBF特征:
●标准引脚排列允许直接更换
●高载流能力封装
●行业标准资质等级
●低频应用中的高性能
●增加功率密度
●使设计人员能够灵活地选择最适合其应用的器件
●标准引脚排列允许直接更换
●高载流能力封装
●行业标准资质等级
●低频应用中的高性能
●增加功率密度
●使设计人员能够灵活地选择最适合其应用的器件
 
IRFB5615PBF说明
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 R DS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合需要性能和耐用性的低频应用。全面的产品组合可满足广泛的应用需求,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。 
 
 
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传真:+86-755-83687442
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