AO4433-VB 沟道增强型场效应晶体管 SOP8 蓝信伟业
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AO4433-VB特征:
采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和超低的栅极电荷,ESD 保护等级为 1.5kV HBM。
 
AO4433-VB概述:
是一款 P 沟道增强型场效应晶体管。
 
AO4433-VB参数:
漏源电压(Vds)为 - 30V,漏极电流(Id)为 - 11A(Vgs=-20V),导通电阻 Rds(on)<14mΩ(Vgs=-20V),Rds(on)<18mΩ(Vgs=-10V),封装为 SOIC-8。
 
应用场景:
▲适合用作负载开关或在 PWM 应用中。
 
AO4433-VB特征:
采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和超低的栅极电荷,ESD 保护等级为 1.5kV HBM。
 
AO4433-VB概述:
是一款 P 沟道增强型场效应晶体管。
 
AO4433-VB参数:
漏源电压(Vds)为 - 30V,漏极电流(Id)为 - 11A(Vgs=-20V),导通电阻 Rds(on)<14mΩ(Vgs=-20V),Rds(on)<18mΩ(Vgs=-10V),封装为 SOIC-8。
 
应用场景:
▲适合用作负载开关或在 PWM 应用中。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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