BC850CLT1G 晶体管 封装SOT-23 蓝信伟业
BC850CLT1G 晶体管 封装SOT-23 蓝信伟业
BC850CLT1G   晶体管          封装SOT-23    蓝信伟业
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BC850CLT1G   晶体管          封装SOT-23    蓝信伟业
 
 
特征:
具有较高的电流放大倍数,直流电流增益(hFE)最小值为 420。频率特性较好,跃迁频率为 100MHz。采用硅材料,工作温度范围宽,可在 - 55℃至 150℃环境下稳定工作。
 
说明:
BC850CLT1G 是安森美推出的一款通用型 NPN 晶体管,基于硅材料和先进制造工艺,SOT-23-3 封装使其适用于表面贴装,具备良好的电气性能和环境适应性,能满足多种电路的小信号处理需求。
 
参数:
集电极 — 发射极最大电压 VCEO 为 45V,集电极 — 基极电压 VCBO 为 50V,发射极 - 基极电压 VEBO 为 6V,最大直流电集电极电流为 100mA,集电极 — 射极饱和电压为 0.6V,功率耗散为 225mW,增益带宽产品 fT 为 100MHz。
 
应用场景:
广泛应用于各种需要小信号放大或开关控制的电路中,如消费电子设备中的音频放大器、射频前端电路,工业控制中的传感器信号放大电路,以及各类智能设备的电源管理电路中的开关控制部分等。
 
BC850CLT1G   晶体管          封装SOT-23    蓝信伟业
 
 
特征:
具有较高的电流放大倍数,直流电流增益(hFE)最小值为 420。频率特性较好,跃迁频率为 100MHz。采用硅材料,工作温度范围宽,可在 - 55℃至 150℃环境下稳定工作。
 
说明:
BC850CLT1G 是安森美推出的一款通用型 NPN 晶体管,基于硅材料和先进制造工艺,SOT-23-3 封装使其适用于表面贴装,具备良好的电气性能和环境适应性,能满足多种电路的小信号处理需求。
 
参数:
集电极 — 发射极最大电压 VCEO 为 45V,集电极 — 基极电压 VCBO 为 50V,发射极 - 基极电压 VEBO 为 6V,最大直流电集电极电流为 100mA,集电极 — 射极饱和电压为 0.6V,功率耗散为 225mW,增益带宽产品 fT 为 100MHz。
 
应用场景:
广泛应用于各种需要小信号放大或开关控制的电路中,如消费电子设备中的音频放大器、射频前端电路,工业控制中的传感器信号放大电路,以及各类智能设备的电源管理电路中的开关控制部分等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
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