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AO4882 MOSFET 芯片 封装SOIC8 蓝信伟业
AO4882 MOSFET 芯片 封装SOIC8 蓝信伟业
AO4882
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AO4882         MOSFET 芯片          封装SOIC8       蓝信伟业
 
 
特征：
具有低导通电阻，能降低导通状态下的功率损耗，提高电路效率。采用沟槽型 MOSFET 架构，开关效率和热性能较好。具备 100% Rg 和 UIS 测试，高温可靠性高，且符合环保标准，采用无卤素材料。
 
说明：
AO4882 是一款基于先进沟槽技术的双 N 沟道 MOSFET 器件。它在低栅极电荷下能提供出色的导通电阻特性，可实现高效的功率转换，适用于多种功率相关的应用场景，能在较宽的温度范围内稳定工作。
 
参数：
漏源电压（Vdss）为 40V，25℃时连续漏极电流（Id）为 8A，10V 栅源电压下、8A 电流时的导通电阻（Rds On）最大值为 19 毫欧，门源电压（Vgs）为 ±20V，门阈电压（Vgs（th））最大值为 2.4V@250μA，10V 栅源电压下栅极电荷（Qg）最大值为 12nC，20V 漏源电压下输入电容（Ciss）最大值为 415pF，最大功率为 2W，工作温度范围为 - 55°C~150°C。
 
应用场景：
主要应用于开关电源，作为开关元件实现电压转换和调节；也可用于电机驱动电路，控制电机的启动、停止和速度调节；还能用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电动车充电器等，在这些场景中发挥高效开关和电流控制的作用。
 
AO4882         MOSFET 芯片          封装SOIC8       蓝信伟业
 
 
特征：
具有低导通电阻，能降低导通状态下的功率损耗，提高电路效率。采用沟槽型 MOSFET 架构，开关效率和热性能较好。具备 100% Rg 和 UIS 测试，高温可靠性高，且符合环保标准，采用无卤素材料。
 
说明：
AO4882 是一款基于先进沟槽技术的双 N 沟道 MOSFET 器件。它在低栅极电荷下能提供出色的导通电阻特性，可实现高效的功率转换，适用于多种功率相关的应用场景，能在较宽的温度范围内稳定工作。
 
参数：
漏源电压（Vdss）为 40V，25℃时连续漏极电流（Id）为 8A，10V 栅源电压下、8A 电流时的导通电阻（Rds On）最大值为 19 毫欧，门源电压（Vgs）为 ±20V，门阈电压（Vgs（th））最大值为 2.4V@250μA，10V 栅源电压下栅极电荷（Qg）最大值为 12nC，20V 漏源电压下输入电容（Ciss）最大值为 415pF，最大功率为 2W，工作温度范围为 - 55°C~150°C。
 
应用场景：
主要应用于开关电源，作为开关元件实现电压转换和调节；也可用于电机驱动电路，控制电机的启动、停止和速度调节；还能用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电动车充电器等，在这些场景中发挥高效开关和电流控制的作用。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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