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AO3407 P 沟道 MOS 场效应管 封装SOT-23 蓝信伟业
AO3407 P 沟道 MOS 场效应管 封装SOT-23 蓝信伟业
AO3407
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AO3407         P 沟道 MOS 场效应管          封装SOT-23        蓝信伟业
 
 
特征：
具有低导通电阻，能降低导通状态下的功率损耗，提高电路效率。采用沟槽型 MOSFET 架构，开关速度较快。符合环保标准，采用无铅绿色环保材料。
 
说明：
AO3407 是一款 P 沟道增强型场效应管，基于先进的沟槽技术制造，在小尺寸的 SOT-23 封装内实现了良好的电气性能，能在较宽的温度范围内稳定工作，适用于多种对功率和空间有要求的电路。
 
参数：
漏源电压（VDS）为 - 30V，连续漏极电流（ID）为 - 4.1A，脉冲漏极电流（IDM）为 - 20A，栅源电压（VGS）为 ±20V，总功率耗散（PD）为 1.4W，工作温度范围为 - 55℃至 150℃。当 VGS=-10V、ID=-4.1A 时，导通电阻（RDS（ON））最大值为 52mΩ；当 VGS=-4.5V、ID=-3A 时，导通电阻最大值为 87mΩ。
 
应用场景：
广泛应用于开关电源、电机控制、LED 驱动电路、便携式电子设备以及 Li - ion 电池管理等领域，如在手机、平板电脑等设备中用于电源管理，控制电池的充放电状态等。
 
AO3407         P 沟道 MOS 场效应管          封装SOT-23        蓝信伟业
 
 
特征：
具有低导通电阻，能降低导通状态下的功率损耗，提高电路效率。采用沟槽型 MOSFET 架构，开关速度较快。符合环保标准，采用无铅绿色环保材料。
 
说明：
AO3407 是一款 P 沟道增强型场效应管，基于先进的沟槽技术制造，在小尺寸的 SOT-23 封装内实现了良好的电气性能，能在较宽的温度范围内稳定工作，适用于多种对功率和空间有要求的电路。
 
参数：
漏源电压（VDS）为 - 30V，连续漏极电流（ID）为 - 4.1A，脉冲漏极电流（IDM）为 - 20A，栅源电压（VGS）为 ±20V，总功率耗散（PD）为 1.4W，工作温度范围为 - 55℃至 150℃。当 VGS=-10V、ID=-4.1A 时，导通电阻（RDS（ON））最大值为 52mΩ；当 VGS=-4.5V、ID=-3A 时，导通电阻最大值为 87mΩ。
 
应用场景：
广泛应用于开关电源、电机控制、LED 驱动电路、便携式电子设备以及 Li - ion 电池管理等领域，如在手机、平板电脑等设备中用于电源管理，控制电池的充放电状态等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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