STW26NM60N N 沟道功率 MOSFET
STW26NM60N N 沟道功率 MOSFET
STW26NM60N  N 沟道功率 MOSFET
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■特征:
●低输入电容和栅极电荷
●低栅极输入电阻
●100% 经过雪崩测试

■概要:
该器件是采用第二代 MDmesh™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。这款革命性的功率 MOSFET 将垂直结构与公司的条状布局相结合,从而实现了世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此,它适用于要求最苛刻的高效率转换器。
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