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MEM2310XG N 沟道增强型场效应晶体管 封装SOT-23 蓝信伟业
MEM2310XG N 沟道增强型场效应晶体管 封装SOT-23 蓝信伟业
MEM2310XG
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MEM2310XG      N 沟道增强型场效应晶体管       封装SOT-23           蓝信伟业
 
特征：
基于高密度细胞设计，具有超低导通电阻，能有效降低导通损耗，提高电路效率。采用 DMOS 沟槽技术，可在小尺寸封装中实现大电流处理能力，具备较高的功率处理能力和可靠性。
 
说明：
MEM2310XG 是一款 30V/5.8A 的 N 沟道场效应管。它利用 DMOS 沟槽技术，实现了低导通电阻和高电流处理能力的结合，特别适用于对功耗和空间要求较高的低压应用场景，可在较小的封装尺寸下为电路提供高效的功率转换和开关控制功能。
 
关键参数：
●漏源击穿电压：30V
●导通电阻：25mΩ@Vgs=10V，I=5.8A；28mΩ@Vgs=4.5V，I=5A；37mΩ@Vgs=2.5V，I=4A
●栅源电压：±12V
●脉冲漏极电流：30A
●工作结温：-55℃至 150℃
●存储温度范围：-65℃至 150℃
 
应用场景：
●电池管理：可用于锂电池等电池管理电路中，实现电池的充放电控制、过流保护等功能，确保电池系统稳定运行。
●DC-DC 转换器：作为开关管应用于各类低压 DC-DC 转换器中，帮助实现电压转换和功率传输，提高电源转换效率。
●LED 照明：如智能七彩球灯泡中，可作为开关管接收单片机信号，实现调色调光等功能。
●其他场景：还可应用于高速开关电路、便携式电子设备、小型电源模块等对空间和功耗要求较高的场合。
 
MEM2310XG      N 沟道增强型场效应晶体管       封装SOT-23           蓝信伟业
 
特征：
基于高密度细胞设计，具有超低导通电阻，能有效降低导通损耗，提高电路效率。采用 DMOS 沟槽技术，可在小尺寸封装中实现大电流处理能力，具备较高的功率处理能力和可靠性。
 
说明：
MEM2310XG 是一款 30V/5.8A 的 N 沟道场效应管。它利用 DMOS 沟槽技术，实现了低导通电阻和高电流处理能力的结合，特别适用于对功耗和空间要求较高的低压应用场景，可在较小的封装尺寸下为电路提供高效的功率转换和开关控制功能。
 
关键参数：
●漏源击穿电压：30V
●导通电阻：25mΩ@Vgs=10V，I=5.8A；28mΩ@Vgs=4.5V，I=5A；37mΩ@Vgs=2.5V，I=4A
●栅源电压：±12V
●脉冲漏极电流：30A
●工作结温：-55℃至 150℃
●存储温度范围：-65℃至 150℃
 
应用场景：
●电池管理：可用于锂电池等电池管理电路中，实现电池的充放电控制、过流保护等功能，确保电池系统稳定运行。
●DC-DC 转换器：作为开关管应用于各类低压 DC-DC 转换器中，帮助实现电压转换和功率传输，提高电源转换效率。
●LED 照明：如智能七彩球灯泡中，可作为开关管接收单片机信号，实现调色调光等功能。
●其他场景：还可应用于高速开关电路、便携式电子设备、小型电源模块等对空间和功耗要求较高的场合。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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