W25Q16JVSNIQ 串行闪存芯片 封装SOIC 8 蓝信伟业
W25Q16JVSNIQ 串行闪存芯片 封装SOIC 8 蓝信伟业
W25Q16JVSNIQ
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W25Q16JVSNIQ      串行闪存芯片          封装SOIC 8      蓝信伟业
 
 
特征:
支持单 / 双 / 四通道 SPI 接口,最高时钟频率 133MHz,四通道模式下等效数据速率可达 532Mbps。具备写保护和软件写锁功能,内置 ESD 保护(±8kV HBM)。待机电流仅 1μA,深度掉电模式为 0.1μA,功耗低。
 
说明:
W25Q16JVSNIQ 是华邦推出的高性能串行闪存芯片,采用 SPI 接口,具有高效读写性能和低功耗特点,同时增强了安全功能,适用于对存储可靠性和性能有一定要求的嵌入式系统。
 
参数:
存储容量为 16Mb(2MB),工作电压 2.7V~3.6V,工作温度范围 - 40℃~+85℃,扇区擦除寿命典型值为 10 万次,85℃环境下数据保存时间为 20 年。
 
 
应用场景:
适用于 TWS 耳机、智能手表等消费电子设备,可存储固件和用户信息;也可用于工业传感器和 PLC,存储校准参数和用户程序;还可应用于车载娱乐系统和 ADAS,存储导航地图缓存和传感器校准参数等。
 
W25Q16JVSNIQ      串行闪存芯片          封装SOIC 8      蓝信伟业
 
 
特征:
支持单 / 双 / 四通道 SPI 接口,最高时钟频率 133MHz,四通道模式下等效数据速率可达 532Mbps。具备写保护和软件写锁功能,内置 ESD 保护(±8kV HBM)。待机电流仅 1μA,深度掉电模式为 0.1μA,功耗低。
 
说明:
W25Q16JVSNIQ 是华邦推出的高性能串行闪存芯片,采用 SPI 接口,具有高效读写性能和低功耗特点,同时增强了安全功能,适用于对存储可靠性和性能有一定要求的嵌入式系统。
 
参数:
存储容量为 16Mb(2MB),工作电压 2.7V~3.6V,工作温度范围 - 40℃~+85℃,扇区擦除寿命典型值为 10 万次,85℃环境下数据保存时间为 20 年。
 
 
应用场景:
适用于 TWS 耳机、智能手表等消费电子设备,可存储固件和用户信息;也可用于工业传感器和 PLC,存储校准参数和用户程序;还可应用于车载娱乐系统和 ADAS,存储导航地图缓存和传感器校准参数等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ:800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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