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NJG1802K51-TE1 GaAs单刀双掷开关MMIC
NJG1802K51-TE1 GaAs单刀双掷开关MMIC
NJG1802K51-TE1 大功率SPDT开关
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■特征：
●低电压逻辑控制
VCTL(H)=1.8V typ.
●低电压运行
VDD=2.7V typ.
●低失真
IIP3=+73dBm typ. @f=829+849MHz, PIN=24dBm
IIP3=+73dBm typ. @f=1870+1910MHz, PIN=24dBm
二次/三次谐波=-90dBc/ 90dBc typ. 频率=0.9GHz，PIN=35dBm
●线性度
P-0.1dB=+36dBm min.
●低插入损耗
0.18dB/ 0.20dB/ 0.23dB typ. @f=0.9GHz/ 1.9GHz/ 2.7GHz
●超小超薄封装
QFN12-51 (封装尺寸：2.0 x 2.0 x 0.375 毫米）
●符合 RoHS 规范，无卤素，MSL1

■说明:
NJG1802K51 是一款GaAs单刀双掷开关MMIC，适用于 LTE/UMTS/CDMA/GSM 应用。NJG1802K51 具有极低的插入损耗、高隔离度和出色的线性度性能，在高达 2.7GHz 的高频率下，控制电压可低至 1.8V。此外，该开关还能处理高功率信号。
为节省电流消耗，NJG1802K51 具有关断模式。NJG1802K51 具有 ESD 保护装置，可实现出色的 ESD 性能。除非从外部进行直流偏置，否则所有射频端口都无需使用直流阻断电容器。采用超小、超薄 QFN12-51 封装。
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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