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SVF18N50F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管
SVF18N50F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管
SVF18N50F  N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管
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SVF18N50F 的说明
SVF18N50F/T/PN/FJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell™平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
 
 
 
SVF18N50F 的特征
■18A，500V，R-DS(on)(典型值)=0.26Ω@V-GS=10V
■低栅极电荷量
■低反向传输电容
■开关速度快
■提升了 dv/dt 能力
SVF18N50F 的说明
SVF18N50F/T/PN/FJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell™平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
 
 
 
SVF18N50F 的特征
■18A，500V，R-DS(on)(典型值)=0.26Ω@V-GS=10V
■低栅极电荷量
■低反向传输电容
■开关速度快
■提升了 dv/dt 能力
QQ:800007218
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