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2N7002LT1G N沟道增强型小信号 封装SOT-23 深圳市蓝信伟业电子有限公司
2N7002LT1G N沟道增强型小信号 封装SOT-23 深圳市蓝信伟业电子有限公司
2N7002LT1G  N沟道增强型小信号  封装SOT-23   深圳市蓝信伟业电子有限公司
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2N7002LT1G  N沟道增强型小信号  封装SOT-23   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●高性能、高可靠性
●低导通电阻
●快速开关速度
●易于散热的小型封装
●符合RoHS标准，无铅、环保
 
 
说明：
●2N7002LT1G场效应管由乐山无线电（LRC）生产，采用SOT-23封装形式，使得器件在电路板上的占用空间更小，有利于实现电路的小型化和集成化。
●该场效应管适用于各种需要低导通电阻和高开关速度的电路，如开关电源、射频功率放大器、绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动电路等。
 
 
关键参数：
●晶体管类型：N沟道增强型MOSFET
●最大漏源电压（Vdss）：60V
●最大连续漏极电流（Id）：0.3A（某些资料中可能给出115mA的值，这取决于具体的测试条件和封装形式）
●导通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10V和3000mΩ@4.5V（或给出其他值，如7.5Ω，这取决于具体的测试条件和封装形式）
●栅源电压（Vgs）范围：±20V
●阈值电压（Vth）：1.6V
●封装形式：SOT-23
●工作温度范围：-55℃至+150℃（或-50℃至80℃，具体取决于生产批次和测试条件）
●最大功率耗散：300mW（或225mW，取决于具体条件）
 
应用场景：
●开关电源：2N7002LT1G可作为开关元件，在开关电源中实现高效的电流控制和电压转换。
●射频功率放大器：在射频电路中，该场效应管可用于放大射频信号，提高信号的输出功率和传输效率。
●绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动电路：作为IGBT的驱动元件，2N7002LT1G可提供稳定的栅极驱动信号，确保IGBT的正常工作。
●智能家居、工控设备、家用电器：由于其高效率、低噪声和长寿命的特点，2N7002LT1G也广泛应用于这些领域中的控制电路和电源管理系统中。
 
2N7002LT1G  N沟道增强型小信号  封装SOT-23   深圳市蓝信伟业电子有限公司
 
特征：
●高性能、高可靠性
●低导通电阻
●快速开关速度
●易于散热的小型封装
●符合RoHS标准，无铅、环保
 
 
说明：
●2N7002LT1G场效应管由乐山无线电（LRC）生产，采用SOT-23封装形式，使得器件在电路板上的占用空间更小，有利于实现电路的小型化和集成化。
●该场效应管适用于各种需要低导通电阻和高开关速度的电路，如开关电源、射频功率放大器、绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动电路等。
 
 
关键参数：
●晶体管类型：N沟道增强型MOSFET
●最大漏源电压（Vdss）：60V
●最大连续漏极电流（Id）：0.3A（某些资料中可能给出115mA的值，这取决于具体的测试条件和封装形式）
●导通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10V和3000mΩ@4.5V（或给出其他值，如7.5Ω，这取决于具体的测试条件和封装形式）
●栅源电压（Vgs）范围：±20V
●阈值电压（Vth）：1.6V
●封装形式：SOT-23
●工作温度范围：-55℃至+150℃（或-50℃至80℃，具体取决于生产批次和测试条件）
●最大功率耗散：300mW（或225mW，取决于具体条件）
 
应用场景：
●开关电源：2N7002LT1G可作为开关元件，在开关电源中实现高效的电流控制和电压转换。
●射频功率放大器：在射频电路中，该场效应管可用于放大射频信号，提高信号的输出功率和传输效率。
●绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动电路：作为IGBT的驱动元件，2N7002LT1G可提供稳定的栅极驱动信号，确保IGBT的正常工作。
●智能家居、工控设备、家用电器：由于其高效率、低噪声和长寿命的特点，2N7002LT1G也广泛应用于这些领域中的控制电路和电源管理系统中。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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