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GD25Q80EEIGR 统一扇区双通道和四通道串行闪存
GD25Q80EEIGR 统一扇区双通道和四通道串行闪存
GD25Q80E（8M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI）和双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据以266Mbit/s的速度传输，四I/O数据以532Mbit/s的速度传输。
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■GD25Q80EEIGR 说明 
GD25Q80E（8M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI）和双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据以266Mbit/s的速度传输，四I/O数据以532Mbit/s的速度传输。
 
■GD25Q80EEIGR 特征
●8M位串行闪存
◆1024K字节
◆每可编程页256字节
●标准、双、四SPI
◆ 标准SPI：：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
◆ 双SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#
◆ 四SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
◆ SPI DTR（双传输速率）读取
●高速时钟频率
◆ 133MHz用于30PF负载的快速读取
◆ 高达266Mbits/s的双I/O数据传输
◆ 四路I/O数据传输高达532Mbits/s
●软件写保护
◆ 通过软件写保护全部/部分内存
◆ 使用WP#引脚启用/禁用保护
◆ 顶块/底块保护
●持久性和数据保留
◆ 至少100000个程序/擦除周期
◆ 典型的20年数据保留期
●允许XiP（就地执行）操作
◆ 高速读取减少了XiP指令的总获取时间
◆ 使用Wrap的连续读取进一步减少了数据延迟，以填满SoC缓存
●编程/擦除速度快
◆页面程序时间：典型0.4ms
◆扇区擦除时间：典型45ms
◆块擦除时间：0.15/0.2s典型值
◆芯片擦除时间：3s
●灵活的体系结构
◆4K字节扇区
◆32/64K字节块
●低功耗
◆11uA典型备用电流
◆1uA典型断电电流
●高级安全功能
◆每个设备的128位唯一ID
◆带OTP锁的2*1024字节安全寄存器
◆串行闪存可发现参数（SFDP）寄存器
●单电源电压
◆全电压范围：2.7-3.6Vv
■GD25Q80EEIGR 说明 
GD25Q80E（8M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI）和双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据以266Mbit/s的速度传输，四I/O数据以532Mbit/s的速度传输。
 
■GD25Q80EEIGR 特征
●8M位串行闪存
◆1024K字节
◆每可编程页256字节
●标准、双、四SPI
◆ 标准SPI：：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
◆ 双SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#
◆ 四SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
◆ SPI DTR（双传输速率）读取
●高速时钟频率
◆ 133MHz用于30PF负载的快速读取
◆ 高达266Mbits/s的双I/O数据传输
◆ 四路I/O数据传输高达532Mbits/s
●软件写保护
◆ 通过软件写保护全部/部分内存
◆ 使用WP#引脚启用/禁用保护
◆ 顶块/底块保护
●持久性和数据保留
◆ 至少100000个程序/擦除周期
◆ 典型的20年数据保留期
●允许XiP（就地执行）操作
◆ 高速读取减少了XiP指令的总获取时间
◆ 使用Wrap的连续读取进一步减少了数据延迟，以填满SoC缓存
●编程/擦除速度快
◆页面程序时间：典型0.4ms
◆扇区擦除时间：典型45ms
◆块擦除时间：0.15/0.2s典型值
◆芯片擦除时间：3s
●灵活的体系结构
◆4K字节扇区
◆32/64K字节块
●低功耗
◆11uA典型备用电流
◆1uA典型断电电流
●高级安全功能
◆每个设备的128位唯一ID
◆带OTP锁的2*1024字节安全寄存器
◆串行闪存可发现参数（SFDP）寄存器
●单电源电压
◆全电压范围：2.7-3.6V
QQ:800007218
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