IRFP260NPBF 采用 TO-200 封装的 247V 单 N 沟道功率 MOSFET
IRFP260NPBF 采用 TO-200 封装的 247V 单 N 沟道功率 MOSFET
IR MOSFET 系列功率 MOSFET 采用经过验证的硅工艺,为设计人员提供了广泛的器件产品组合,以支持各种应用,如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件采用各种表面贴装和通孔封装,具有行业标准封装,便于设计。
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>=1000 ¥4.00 ¥1
        
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IRFP260NPBF 特征
●用于宽 SOA 的平面单元结构
●针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化
●符合JEDEC标准的产品认证
●针对开关频率低于 <100kHz 的应用优化的芯片
●行业标准通孔电源封装
●高额定电流
 
 
IRFP260NPBF 说明
IR MOSFET 系列功率 MOSFET 采用经过验证的硅工艺,为设计人员提供了广泛的器件产品组合,以支持各种应用,如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些器件采用各种表面贴装和通孔封装,具有行业标准封装,便于设计。
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