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FQA44N30 N 沟道 QFET® MOSFET 300V, 43.5A, 69mΩ
FQA44N30 N 沟道 QFET® MOSFET 300V, 43.5A, 69mΩ
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
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FQA44N30说明:
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
 
FQA44N30特征：
●43.5A, 300V, RDS(on) = 69mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 21.75A栅极电荷低（典型值：120nC)
●低 Crss（典型值75pF)
●100% 经过雪崩击穿测试
●100% Avalanche Tested
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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