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IKP20N60T 600 V，20 A IGBT分立，TO220封装中带有反并联二极管
IKP20N60T 600 V，20 A IGBT分立，TO220封装中带有反并联二极管
硬开关600 V，20 A TRENCHSTOP™ IGBT3与TO220封装中的全额定续流二极管共同封装，由于沟槽单元和场阻概念的结合，导致器件的静态和动态性能显著提高。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。
价格: ￥8.000 - ￥9.000
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100-999 ￥8.50 ￥0.5
>=1000 ￥8.00 ￥1
        
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IKP20N60T 特征
●降低传导损耗的最低VCEsat压降
●低开关损耗
●由于VCEsat中的正温度系数，易于并联切换
●非常软、快速恢复的反并联发射极控制二极管
●高强度，温度稳定
●低EMI发射
●低栅极电荷
●非常紧密的参数分布
 
IKP20N60T说明
硬开关600 V，20 A TRENCHSTOP™ IGBT3与TO220封装中的全额定续流二极管共同封装，由于沟槽单元和场阻概念的结合，导致器件的静态和动态性能显著提高。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷，达到了最高效率。
 
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传真:+86-755-83687442
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