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FQP6N40C 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400 V，6 A，1.0 Ω，TO-220
FQP6N40C 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，400 V，6 A，1.0 Ω，TO-220
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
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FQP6N40C特征
●6A, 400V, RDS(on) = 1.0Ω（最大值） @VGS = 10 V, ID = 3A栅极电荷低（典型值：16nC)
●低 Crss（典型值15pF)
●100% 经过雪崩击穿测试
●100% avalanche tested
 
FQP6N40C说明
此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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