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ASDM60P12KQ-R P 沟道场效应晶体管 封装TO252 蓝信伟业
ASDM60P12KQ-R P 沟道场效应晶体管 封装TO252 蓝信伟业
ASDM60P12KQ-R     P 沟道场效应晶体管   封装TO252   蓝信伟业
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ASDM60P12KQ-R     P 沟道场效应晶体管   封装TO252   蓝信伟业

■产品概述：
这是一款 P 沟道的 MOSFET，凭借其低导通电阻和较大的电流承载能力，可在多种电子电路中实现高效的功率切换，为负载提供稳定的电源供应，并且在散热和可靠性方面有较好的表现。
 
■特征：
具有低导通电阻，在 10V 栅源电压下，最大导通电阻为 70mΩ，可减少功率损耗，提高电路效率。采用先进的工艺设计，能承受一定的雪崩电压和电流，具备较好的可靠性。
 
■基本参数：
漏源电压（Vdss）为 60V，连续漏极电流为 12A，功率耗散为 50W，工作温度范围一般与常规 MOSFET 类似，可在 - 55℃至 150℃左右的环境下工作（具体以数据手册为准）。
 
■应用领域：
可应用于智能门锁、智能插座、蓝牙音箱、MP3 播放器、门禁系统、逆变器等电子产品中，也可用于汽车电子中的一些电源管理电路、工业控制中的功率转换电路等，适用于需要功率控制和转换的场景。
 
ASDM60P12KQ-R     P 沟道场效应晶体管   封装TO252   蓝信伟业

■产品概述：
这是一款 P 沟道的 MOSFET，凭借其低导通电阻和较大的电流承载能力，可在多种电子电路中实现高效的功率切换，为负载提供稳定的电源供应，并且在散热和可靠性方面有较好的表现。
 
■特征：
具有低导通电阻，在 10V 栅源电压下，最大导通电阻为 70mΩ，可减少功率损耗，提高电路效率。采用先进的工艺设计，能承受一定的雪崩电压和电流，具备较好的可靠性。
 
■基本参数：
漏源电压（Vdss）为 60V，连续漏极电流为 12A，功率耗散为 50W，工作温度范围一般与常规 MOSFET 类似，可在 - 55℃至 150℃左右的环境下工作（具体以数据手册为准）。
 
■应用领域：
可应用于智能门锁、智能插座、蓝牙音箱、MP3 播放器、门禁系统、逆变器等电子产品中，也可用于汽车电子中的一些电源管理电路、工业控制中的功率转换电路等，适用于需要功率控制和转换的场景。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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