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APM2301CAC-TRG P沟道MOSFET SOT23 蓝信伟业
APM2301CAC-TRG P沟道MOSFET SOT23 蓝信伟业
APM2301CAC-TRG  P沟道MOSFET SOT23 蓝信伟业
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APM2301CAC-TRG特征：
超小封装尺寸，转换效率高达 96%，静态功耗极低，瞬态响应性能优秀，内置多重保护电路。
 
APM2301CAC-TRG概述：
APM2301CAC-TRG 是一款采用 SOT23 封装的 P 沟道 MOSFET，它具有低导通电阻和较高的电流承载能力，能够在较低的电压下实现高效的功率传输，并且在性能和可靠性方面表现出色。
 
APM2301CAC-TRG参数：
漏极至源极电压（VDS）：-20V
栅极至源极电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：在 TJ=150°C、TA=25°C 时为 - 4A；TA=70°C 时为 - 3.2A/-3.5A
脉冲漏极电流（IP）：-10A
导通电阻（RDS (on)）：0.060Ω @ VGS=-10V；0.065Ω @ VGS=-4.5V；0.080Ω @ VGS=-2.5V
栅极电荷（Qg）：10nC
阈值电压（VGS (th)）：-0.81V
最大功率耗散（PD）：在 TA=25°C 时为 2.5W；TA=70°C 时为 1.6W/1.25W
工作结温和存储温度范围（TJ, Tstg）：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT23
 
应用场景：
▲主要应用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等对空间和效率要求严格的便携式设备。
 
 
APM2301CAC-TRG特征：
超小封装尺寸，转换效率高达 96%，静态功耗极低，瞬态响应性能优秀，内置多重保护电路。
 
APM2301CAC-TRG概述：
APM2301CAC-TRG 是一款采用 SOT23 封装的 P 沟道 MOSFET，它具有低导通电阻和较高的电流承载能力，能够在较低的电压下实现高效的功率传输，并且在性能和可靠性方面表现出色。
 
APM2301CAC-TRG参数：
漏极至源极电压（VDS）：-20V
栅极至源极电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：在 TJ=150°C、TA=25°C 时为 - 4A；TA=70°C 时为 - 3.2A/-3.5A
脉冲漏极电流（IP）：-10A
导通电阻（RDS (on)）：0.060Ω @ VGS=-10V；0.065Ω @ VGS=-4.5V；0.080Ω @ VGS=-2.5V
栅极电荷（Qg）：10nC
阈值电压（VGS (th)）：-0.81V
最大功率耗散（PD）：在 TA=25°C 时为 2.5W；TA=70°C 时为 1.6W/1.25W
工作结温和存储温度范围（TJ, Tstg）：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT23
 
应用场景：
▲主要应用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等对空间和效率要求严格的便携式设备。
 
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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