L1SS226LT1G 小信号开关二极管 封装SOT-23 蓝信伟业
L1SS226LT1G 小信号开关二极管 封装SOT-23 蓝信伟业
L1SS226LT1G   小信号开关二极管        封装SOT-23     蓝信伟业
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L1SS226LT1G   小信号开关二极管        封装SOT-23     蓝信伟业
 
特征:
是一种低功耗、超高速半导体器件,具有击穿电压高、反向漏电流小、高温性能良好等特点,且符合 RoHS 环保要求。
 
说明:
L1SS226LT1G 是一款小信号开关二极管,采用标准 SOT-23 封装,具备快速的反向恢复能力,能在高频信号处理中保持良好的性能,可在较宽的温度范围内稳定工作。
 
参数:
反向耐压 VR 为 80V,平均整流电流为 100mA,正向压降 VF 最大值为 1.2V,正向浪涌峰值电流 Ifsm 为 2A,反向恢复时间 trr 为 1.6ns,总电容 C 为 3pF,功率耗散最大值为 150mW,工作温度范围为 - 55℃~+125℃。
 
应用场景:
广泛应用于手机充电器、开关电源、LED 灯饰驱动电源、智能电表、智能电器等领域,也可用于电视机、显示器等消费类电子产品中的相关电路。
 
L1SS226LT1G   小信号开关二极管        封装SOT-23     蓝信伟业
 
特征:
是一种低功耗、超高速半导体器件,具有击穿电压高、反向漏电流小、高温性能良好等特点,且符合 RoHS 环保要求。
 
说明:
L1SS226LT1G 是一款小信号开关二极管,采用标准 SOT-23 封装,具备快速的反向恢复能力,能在高频信号处理中保持良好的性能,可在较宽的温度范围内稳定工作。
 
参数:
反向耐压 VR 为 80V,平均整流电流为 100mA,正向压降 VF 最大值为 1.2V,正向浪涌峰值电流 Ifsm 为 2A,反向恢复时间 trr 为 1.6ns,总电容 C 为 3pF,功率耗散最大值为 150mW,工作温度范围为 - 55℃~+125℃。
 
应用场景:
广泛应用于手机充电器、开关电源、LED 灯饰驱动电源、智能电表、智能电器等领域,也可用于电视机、显示器等消费类电子产品中的相关电路。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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