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LM74700QDBVRQ1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器
LM74700QDBVRQ1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器
LM74700-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器，与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反向保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如：12V、24V 和 48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压，并提供负载保护。

该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该电流调节方
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LM74700QDBVRQ1特征
●具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
 器件 HBM ESD 分类等级 2
 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
●提供功能安全
●可帮助进行功能安全系统设计的文档
 3.2V 至 65V 输入范围（3.9V 启动）
 -65V 反向电压额定值
●适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
 20mV 阳极至阴极正向压降调节
●使能引脚特性
 1µA 关断电流（EN = 低电平）
 80µA 工作静态电流（EN = 高电平）
 2.3A 峰值栅极关断电流
●快速响应反向电流阻断： 小于 0.75µs
●采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
●采用 6 引脚和 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm × 1.60mm
 
LM74700QDBVRQ1说明
LM74700-Q1 是一款符合汽车 AEC Q100 标准的理想二极管控制器，与外部 N 沟道 MOSFET 配合工作，可作为理想二极管整流器利用 20mV 正向压降实现低损耗反向保护。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压（例如：12V、24V 和 48V 汽车电池系统）的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至 –65V 的负电源电压，并提供负载保护。
 
该器件通过控制 MOSFET 的栅极将正向压降调节至 20mV。该电流调节方案可在反向电流事件中支持平稳关机，并确保零直流反向电流。该器件能够快速 (< 0.75µs) 响应反向电流阻断，因此适用于在 ISO7637 脉冲测试以及电源故障和输入微短路条件下要求保持输出电压的系统。
 
LM74700-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74700-Q1 的高电压额定值有助于简化用于汽车 ISO7637 保护的系统设计。当使能引脚处于低电平时，控制器关闭，消耗大约 1µA 的电流。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
移动电话:13424188068 
联系QQ：800007218
联系人:黄小姐、陈先生、陈小姐
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