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IXFK94N50P2 生产的功率MOSFET TO264 蓝信伟业
IXFK94N50P2 生产的功率MOSFET TO264 蓝信伟业
IXFK94N50P2 生产的功率MOSFET  TO264 蓝信伟业
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IXFK94N50P2R特征
●N 沟道功率 MOSFET，具有高耐压、大电流能力，采用 Max247 封装（TO - 264 等），安装风格为通孔安装。
 
IXFK94N50P2概述：
是意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率 MOSFET，能承受高电压和大电流，可用于控制高功率电路中的电流通断和电压转换。
 
IXFK94N50P2参数：
●汲极 / 源极击穿电压 650V，
●闸 / 源击穿电压 25V，
●漏极连续电流 130A，
●电阻汲极 / 源极 RDS（导通）0.014Ω。
 
应用场景：
▲常用于需要处理高电压、大电流的电路中，如开关电源、电机驱动、工业控制中的功率变换电路等。
 
IXFK94N50P2R特征
●N 沟道功率 MOSFET，具有高耐压、大电流能力，采用 Max247 封装（TO - 264 等），安装风格为通孔安装。
 
IXFK94N50P2概述：
是意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率 MOSFET，能承受高电压和大电流，可用于控制高功率电路中的电流通断和电压转换。
 
IXFK94N50P2参数：
●汲极 / 源极击穿电压 650V，
●闸 / 源击穿电压 25V，
●漏极连续电流 130A，
●电阻汲极 / 源极 RDS（导通）0.014Ω。
 
应用场景：
▲常用于需要处理高电压、大电流的电路中，如开关电源、电机驱动、工业控制中的功率变换电路等。
 
电话:+86-755-83681378 83291586 83687442
传真:+86-755-83687442
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