FCH072N60F 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FRFET®,600 V,52 A,72 mΩ,TO-247
FCH072N60F 功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FRFET®,600 V,52 A,72 mΩ,TO-247
SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET® MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件,提高系统可靠性。
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FCH072N60F特征
●650V @TJ = 150°C ·典型值 RDS(on)= 65 mΩ
●超低栅极电荷(典型 Qg= 165 nC)
●低等效输出电容(典型值 Coss(eff.)= 441 pF)
●全部经雪崩测试
●符合 RoHS 标准符合
●RoHS Compliant Compliant
 
FCH072N60F说明
SuperFET® II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET® MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件,提高系统可靠性。
 
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