TPSM828211SILR 具有集成电感器、采用 2 x 2.5 x 1.1mm μSIP 封装的 5.5V 输入、1A 降压模块
TPSM828211SILR 具有集成电感器、采用 2 x 2.5 x 1.1mm μSIP 封装的 5.5V 输入、1A 降压模块
TPSM828211SILR的说明
UCC23513-Q1 驱动器 是适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器 ,具有 4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 隔离额定值。33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。 UCC23513-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET与基于光耦合器的栅极驱动器相比,此器件 可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮
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TPSM828211SILR的特性
●符合 CISPR 11 B 类要求
●效率高达 95%
●输入电压范围为 2.4V 至 5.5V
●0.6V 至 4V 可调节输出电压
●可提供的固定输出电压:1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V
●工作静态电流为 4µA
●DCS-Control 拓扑
●可实现轻负载效率的省电模式选项
●支持 CCM 运行的强制 PWM 选项
●可实现最低压降的 100% 占空比
●断续短路保护
●输出放电
●具有窗口比较器的电源正常输出
●集成软启动
●过热保护
●PSpice 模型可用于:TPSM82821、TPSM82822 和 TPSM82823
●采用 2.0mm × 2.5mm × 1.1mm 10 引脚 µSiL 封装
●12mm2 总解决方案尺寸(针对固定输出电压版本)
 
TPSM828211SILR的说明
UCC23513-Q1 驱动器 是适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器 ,具有 4.5A 峰值拉电流和 5.3A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 隔离额定值。33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。 UCC23513-Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET与基于光耦合器的栅极驱动器相比,此器件 可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (e-diode),这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比,可靠性和老化特性更为出色。 由于具有高性能和高可靠性, 因此该类器件非常适合用于 汽车电机驱动器 ,例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器无法支持的应用开辟了机会。
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