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TPS22916CLYFPR 具有输出放电功能的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 泄漏负载开关
TPS22916CLYFPR 具有输出放电功能的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 泄漏负载开关
TPS22916CLYFPR的说明
TPS22916xx 是一款小型单通道负载开关，采用低漏电 P 沟道 MOSFET 实现最小的功率损耗。高级栅极控制设计支持低至 1V 的工作电压，且增加超小的导通电阻和功率损耗。

多个时序选项可支持各种系统负载条件。对于高容性负载，C 版本的慢速导通时序可更大限度减小浪涌电流。而在低容性负载中，B 版本的快速时序可减少所需的等待时间。

开关导通状态由数字输入控制，此输入可与低压控制信号直接连接。此器件同时提供高电平有效和低电平有效 (L) 版本。首次加电
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TPS22916CLYFPR的特性
●输入电压范围 (VIN)：1 V 至 5.5V
●最大持续电流 (IMAX)：2A
●导通电阻 (RON)：
●5V VIN = 60mΩ（典型值）、100mΩ（85°C 最大值）
●1.8V VIN = 100mΩ（典型值）、150mΩ（85°C 最大值）
●1V VIN = 200mΩ（典型值）、325mΩ（85°C 最大值）
●超低功耗：
●导通状态 (IQ)：0.5µA（典型值）、1µA（最大值）
●关闭状态 (ISD)：10nA（典型值）、100nA（最大值）
●TPS22916BL/CL/CNL (ISD)：100nA（典型值）、300nA（最大值）
●ON 引脚智能下拉电阻 (RPD)：
●ON ≥ VIH (ION)：10nA（最大值）
●ON ≤ VIL (RPD)：750kΩ（典型值）
●C 版本的慢时序可限制浪涌电流：
●5V 开通时间 (tON)：5mV/µs 时为 1400µs
●1.8V 开通时间 (tON)：1mV/µs 时为 3000µs
●1V 开通时间 (tON)：0.3mV/µs 时为 6500µs
●B 版本的快速时序可减少等待时间：
●5V 开通时间 (tON)：57mV/µs 时为 115µs
●1.8V 开通时间 (tON)：12mV/µs 时为 250µs
●1V 开通时间 (tON)：3.3mV/µs 时为 510µs
●常开的真反向电流阻断 (RCB)：
●激活电流 (IRCB)：–500mA（典型值）
●反向泄漏电流 (IIN,RCB)：–300nA（最大值）
●快速输出放电 (QOD)：150Ω（典型值） （N 版本无 QOD）
●低电平有效使能选项（L 版本）
 
TPS22916CLYFPR的说明
TPS22916xx 是一款小型单通道负载开关，采用低漏电 P 沟道 MOSFET 实现最小的功率损耗。高级栅极控制设计支持低至 1V 的工作电压，且增加超小的导通电阻和功率损耗。
 
多个时序选项可支持各种系统负载条件。对于高容性负载，C 版本的慢速导通时序可更大限度减小浪涌电流。而在低容性负载中，B 版本的快速时序可减少所需的等待时间。
 
开关导通状态由数字输入控制，此输入可与低压控制信号直接连接。此器件同时提供高电平有效和低电平有效 (L) 版本。首次加电时，此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空，直到系统时序控制完成。ON 引脚故意驱动为高电平 (≥VIH) 后，便会断开智能下拉电阻，从而防止不必要的功率损耗。
 
TPS22916xx 采用节省空间的小型 0.78mm × 0.78mm、0.4mm 间距、0.5mm 高度的 4 引脚晶圆芯片级 (WCSP) 封装 (YFP)。此器件的工作温度范围为 –40°C 至 +85°C。
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